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1N3957GPHE3/54

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說明
操作

1N3957GPHE3/54
深圳市引芯科技發展有限公司
深圳市引芯科技發展有限公司
聯系人：銷售部經理：林小姐
電話：0755-8334178913421397528
地址：深圳市福田區福華路世貿廣場C座1106/香港辦事處:香港大理石
256
Vishay Semiconductors
標準封裝
25+
-
真實的資源竭誠服務您！

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1

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功能描述
整流器 1000 Volt 1.0 Amp Glass Passivated
RoHS
否
制造商
Vishay Semiconductors
產品
Standard Recovery Rectifiers
配置
反向電壓
100 V
正向電壓下降
恢復時間
1.2 us
正向連續電流
2 A
最大浪涌電流
35 A
反向電流 IR
5 uA
安裝風格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
DO-221AC
封裝
Reel

1N3957GPHE3/54 技術參數

1N3957GP-E3/73 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 1A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:2μs 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 1000V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-204AL（DO-41）工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:3,000 1N3957GP-E3/54 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 1A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:2μs 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 1000V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-204AL（DO-41）工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:5,500 1N3957 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 1A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 1000V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:A，軸向供應商器件封裝:* 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N3913R 功能描述:FAST RECOVERY RECTIFIER 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售標準包裝:1 1N3913AR 功能描述:FAST RECOVERY RECTIFIER 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售標準包裝:1 1N3995A 1N3995RA 1N3996 1N3996A 1N3996RA 1N3997 1N3997A 1N3997RA 1N3998 1N3998A 1N3999 1N3999A 1N4001 1N4001 BK 1N4001 TR 1N4001/54 1N4001-B 1N4001B-G