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1N4005GPE-E3/53

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說明
操作

1N4005GPE-E3/53
深圳市引芯科技發(fā)展有限公司
深圳市引芯科技發(fā)展有限公司
聯(lián)系人：銷售部經(jīng)理：林小姐
電話：0755-8334178913421397528
地址：深圳市福田區(qū)福華路世貿(mào)廣場C座1106/香港辦事處:香港大理石
256
Vishay Semiconductors
標準封裝
25+
-
真實的資源竭誠服務您！

1N4005GPE-E3/53
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優(yōu)先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業(yè)執(zhí)照
5000
VISHAY SE
1521+
-
全新原裝現(xiàn)貨

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功能描述
整流器 Vr/600V Io/1A Glass Passivated
RoHS
否
制造商
Vishay Semiconductors
產(chǎn)品
Standard Recovery Rectifiers
配置
反向電壓
100 V
正向電壓下降
恢復時間
1.2 us
正向連續(xù)電流
2 A
最大浪涌電流
35 A
反向電流 IR
5 uA
安裝風格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
DO-221AC
封裝
Reel

1N4005GPE-E3/53 技術參數(shù)

1N4005GP-E3/73 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:SUPERECTIFIER? 包裝:帶盒（TB）零件狀態(tài):有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 1A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:2μs 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 600V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:8pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-204AL（DO-41）工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:3,000 1N4005GP-E3/54 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:SUPERECTIFIER? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 1A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:2μs 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 600V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:8pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-204AL（DO-41）工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N4005GP 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 1A DO41 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 1A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 600V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:15pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-41 工作溫度 - 結:-55°C ~ 175°C 標準包裝:25,000 1N4005GL-T 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 1A DO41 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 1A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:2μs 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 600V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:8pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-41 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:5,000 1N4005GL TR 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 1A DO41 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):生命周期結束二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 1A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 600V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-41 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:5,000 1N4005GPHM3/54 1N4005GPHM3/73 1N4005GP-M3/54 1N4005GP-M3/73 1N4005GPP BK 1N4005GPP TR 1N4005G-T 1N4005L-T 1N4005RL 1N4005RLG 1N4005-T 1N4005TA 1N4005T-G 1N4005-TP 1N4006 1N4006 BK 1N4006 TR 1N4006/54

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