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1N4148 A0G

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功能描述
DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35
制造商
taiwan semiconductor corporation
系列
-
包裝
剪切帶（CT）
零件狀態
在售
二極管類型
標準
電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）
100V
電流 - 平均整流（Io）
150mA
不同 If 時的電壓 - 正向（Vf
1V @ 100mA
速度
小信號 =< 200mA（Io），任意速度
反向恢復時間（trr）
4ns
不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流
5μA @ 75V
不同?Vr，F 時的電容
4pF @ 0V，1MHz
安裝類型
通孔
封裝/外殼
DO-204AH，DO-35，軸向
供應商器件封裝
DO-35
工作溫度 - 結
-65°C ~ 150°C
標準包裝
1

1N4148 A0G 技術參數

1N4148 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD27 制造商:fairchild/micross components 系列:- 包裝:- 零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 10mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度反向恢復時間（trr）:4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 75V 不同?Vr，F 時的電容:4pF @ 0V，1MHz 安裝類型:- 封裝/外殼:- 供應商器件封裝:- 工作溫度 - 結:-55°C ~ 175°C 標準包裝:10,000 1N4135UR-1 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售標準包裝:1 1N4135UR 功能描述:DIODE ZENER 100V 500MW DO213AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:100V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:1500 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10nA @ 76V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AA（玻璃）供應商器件封裝:DO-213AA 標準包裝:1 1N4135-1 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售標準包裝:1 1N4135 (DO35) 功能描述:DIODE ZENER 100V 400MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:100V 容差:±5% 功率 - 最大值:400mW 阻抗（最大值）（Zzt）:1500 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10nA @ 76V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N4148_T26R 1N4148_T50A 1N4148_T50R 1N4148-1 1N4148-1/TR 1N4148-1E3 1N4148-A 1N4148-G 1N4148-P-TAP 1N4148-P-TR 1N4148-T 1N4148-T26A 1N4148-T50A 1N4148-T50R 1N4148T-72 1N4148T-73 1N4148T-77 1N4148TA