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1PMT5924CE3/TR13

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功能描述
DIODE ZENER 9.1V 3W DO216AA
制造商
microsemi corporation
系列
-
包裝
帶卷（TR）
零件狀態
有效
電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）
9.1V
容差
±2%
功率 - 最大值
3W
阻抗（最大值）（Zzt）
4 歐姆
不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流
5μA @ 7V
不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）
1.2V @ 200mA
工作溫度
-55°C ~ 150°C
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
DO-216AA
供應商器件封裝
DO-216AA
標準包裝
12,000

1PMT5924CE3/TR13 技術參數

1PMT5924C/TR7 功能描述:DIODE ZENER 9.1V 3W DO216AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:9.1V 容差:±2% 功率 - 最大值:3W 阻抗（最大值）（Zzt）:4 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 7V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-216AA 供應商器件封裝:DO-216AA 標準包裝:3,000 1PMT5924C/TR13 功能描述:DIODE ZENER 9.1V 3W DO216AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:9.1V 容差:±2% 功率 - 最大值:3W 阻抗（最大值）（Zzt）:4 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 7V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-216AA 供應商器件封裝:DO-216AA 標準包裝:12,000 1PMT5924BT1G 功能描述:DIODE ZENER 9.1V 3.2W POWERMITE 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:9.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:3.2W 阻抗（最大值）（Zzt）:4 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 7V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.25V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-216AA 供應商器件封裝:Powermite 標準包裝:1 1PMT5924BT1 功能描述:DIODE ZENER 9.1V 3.2W POWERMITE 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:9.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:3.2W 阻抗（最大值）（Zzt）:4 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 7V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.25V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-216AA 供應商器件封裝:Powermite 標準包裝:3,000 1PMT5924BE3/TR7 功能描述:DIODE ZENER 9.1V 3W DO216AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:9.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:3W 阻抗（最大值）（Zzt）:4 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 7V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-216AA 供應商器件封裝:DO-216AA 標準包裝:3,000 1PMT5925B/TR13 1PMT5925B/TR7 1PMT5925BE3/TR13 1PMT5925BE3/TR7 1PMT5925BT1 1PMT5925BT1G 1PMT5925C/TR13 1PMT5925C/TR7 1PMT5925CE3/TR13 1PMT5925CE3/TR7 1PMT5925E3/TR13 1PMT5925E3/TR7 1PMT5926/TR13 1PMT5926/TR7 1PMT5926A/TR13 1PMT5926A/TR7 1PMT5926AE3/TR13 1PMT5926AE3/TR7