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1PMT5925BT3G

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1PMT5925BT3G
深圳市佳斯泰科技有限公司
深圳市佳斯泰科技有限公司
聯系人：廖小姐
電話：13410012158
地址：廣東省深圳市福田區華強北上航大廈西座四層
8000
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AD5570WRS
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制造商
ONSEMI
制造商全稱
ON Semiconductor
功能描述
3.2 Watt Plastic Surface Mount POWERMITE Package

1PMT5925BT3G 技術參數

1PMT5925BT1G 功能描述:DIODE ZENER 10V 3.2W POWERMITE 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:10V 容差:±5% 功率 - 最大值:3.2W 阻抗（最大值）（Zzt）:4.5 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 8V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.25V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-216AA 供應商器件封裝:Powermite 標準包裝:3,000 1PMT5925BT1 功能描述:DIODE ZENER 10V 3.2W POWERMITE 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:10V 容差:±5% 功率 - 最大值:3.2W 阻抗（最大值）（Zzt）:4.5 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 8V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.25V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-216AA 供應商器件封裝:Powermite 標準包裝:3,000 1PMT5925BE3/TR7 功能描述:DIODE ZENER 10V 3W DO216AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:10V 容差:±5% 功率 - 最大值:3W 阻抗（最大值）（Zzt）:4.5 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 8V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-216AA 供應商器件封裝:DO-216AA 標準包裝:3,000 1PMT5925BE3/TR13 功能描述:DIODE ZENER 10V 3W DO216AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:10V 容差:±5% 功率 - 最大值:3W 阻抗（最大值）（Zzt）:4.5 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 8V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-216AA 供應商器件封裝:DO-216AA 標準包裝:12,000 1PMT5925B/TR7 功能描述:DIODE ZENER 10V 3W DO216AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:10V 容差:±5% 功率 - 最大值:3W 阻抗（最大值）（Zzt）:4.5 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 8V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-216AA 供應商器件封裝:DO-216AA 標準包裝:3,000 1PMT5926A/TR7 1PMT5926AE3/TR13 1PMT5926AE3/TR7 1PMT5926B/TR13 1PMT5926B/TR7 1PMT5926BE3/TR13 1PMT5926BE3/TR7 1PMT5926C/TR13 1PMT5926C/TR7 1PMT5926CE3/TR13 1PMT5926CE3/TR7 1PMT5926E3/TR13 1PMT5926E3/TR7 1PMT5927/TR13 1PMT5927/TR7 1PMT5927A/TR13 1PMT5927A/TR7 1PMT5927AE3/TR13