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1SS387(TL3M,F,T)

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1SS387(TL3M,F,T) 技術(shù)參數(shù)

1SS384TE85LF 功能描述:DIODE ARRAY SCHOTTKY 10V USQ 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效二極管配置:2 個獨立式二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:10V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:100mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:500mV @ 100mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度反向恢復(fù)時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:20μA @ 10V 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-82 供應(yīng)商器件封裝:USQ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1SS383T1G 功能描述:DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V SC82 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期二極管配置:2 個獨立式二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:40V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:300mA（DC）不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:600mV @ 100mA 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io）反向恢復(fù)時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 40V 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-82 供應(yīng)商器件封裝:SC-82 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 1SS383(TE85L,F) 功能描述:DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V USQ 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效二極管配置:2 個獨立式二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:40V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:100mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:600mV @ 100mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度反向恢復(fù)時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 40V 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-82 供應(yīng)商器件封裝:USQ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1SS382TE85LF 功能描述:DIODE ARRAY GP 80V 100MA USQ 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效二極管配置:2 個獨立式二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:80V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:100mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 100mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度反向恢復(fù)時間（trr）:4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 80V 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-82 供應(yīng)商器件封裝:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1SS381,L3F 功能描述:DIODE RF SWITCH 30V 100MA ESC 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效二極管類型:PIN - 單電壓 - 峰值反向（最大值）:30V 電流 - 最大值:100mA 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:1.2pF @ 6V，1MHz 不同?If，F(xiàn) 時的電阻:900 毫歐 @ 2mA，100MHz 功率耗散（最大值）:- 封裝/外殼:SC-79，SOD-523 供應(yīng)商器件封裝:ESC 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1SS393SU,LF 1SS394TE85LF 1SS396,LF 1SS397TE85LF 1SS398TE85LF 1SS399TE85LF 1SS400 RJG 1SS400 RKG 1SS400 RSG 1SS400CSFHT2RA 1SS400CST2R 1SS400CST2RA 1SS400-G 1SS400GT2R 1SS400SMT2R 1SS400T1 1SS400T1G 1SS400T5G

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