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1SS388(TPH3’F)

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1SS388(TPH3’F) 技術參數

1SS387CT,L3F 功能描述:DIODE GEN PURP 80V 100MA CST2 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:80V 電流 - 平均整流（Io）:100mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 100mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度反向恢復時間（trr）:1.6ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 80V 不同?Vr，F 時的電容:0.5pF @ 0V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOD-882 供應商器件封裝:CST2 工作溫度 - 結:150°C（最大）標準包裝:1 1SS387,L3F 功能描述:DIODE GEN PURP 80V 100MA ESC 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:80V 電流 - 平均整流（Io）:100mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 100mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度反向恢復時間（trr）:4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 80V 不同?Vr，F 時的電容:3pF @ 0V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-79，SOD-523 供應商器件封裝:ESC 工作溫度 - 結:125°C（最大）標準包裝:1 1SS384TE85LF 功能描述:DIODE ARRAY SCHOTTKY 10V USQ 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效二極管配置:2 個獨立式二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:10V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:100mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:500mV @ 100mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:20μA @ 10V 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-82 供應商器件封裝:USQ 標準包裝:1 1SS383T1G 功能描述:DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V SC82 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期二極管配置:2 個獨立式二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:40V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:300mA（DC）不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:600mV @ 100mA 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 40V 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-82 供應商器件封裝:SC-82 標準包裝:10 1SS383(TE85L,F) 功能描述:DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V USQ 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效二極管配置:2 個獨立式二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:40V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:100mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:600mV @ 100mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 40V 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-82 供應商器件封裝:USQ 標準包裝:1 1SS396,LF 1SS397TE85LF 1SS398TE85LF 1SS399TE85LF 1SS400 RJG 1SS400 RKG 1SS400 RSG 1SS400CSFHT2RA 1SS400CST2R 1SS400CST2RA 1SS400-G 1SS400GT2R 1SS400SMT2R 1SS400T1 1SS400T1G 1SS400T5G 1SS400TE61 1SS400-TP