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1SV231-T-TOS

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1SV231-T-TOS 技術(shù)參數(shù)

1SV229TPH3F 功能描述:DIODE VARACTOR 15V USC 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):停產(chǎn) 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:6.5pF @ 10V，1MHz 電容比:2.5 電容比條件:C2/C10 電壓 - 峰值反向（最大值）:15V 二極管類型:單一不同 Vr，F(xiàn) 時的 Q 值:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-76，SOD-323 供應商器件封裝:USC 標準包裝:1 1SV228TPH3F 功能描述:DIODE VARACTOR DUAL 15V SC-59 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):停產(chǎn) 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:13.7pF @ 8V，1MHz 電容比:2.6 電容比條件:C3/C8 電壓 - 峰值反向（最大值）:15V 二極管類型:1 對共陰極不同 Vr，F(xiàn) 時的 Q 值:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:S-Mini 標準包裝:1 1SS427,L3M 功能描述:DIODE GEN PURP 80V 100MA SOD923 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:80V 電流 - 平均整流（Io）:100mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 100mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度反向恢復時間（trr）:1.6ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 80V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:0.3pF @ 0V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOD-923 供應商器件封裝:SOD-923 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 150°C 標準包裝:1 1SS424(TPL3,F) 功能描述:DIODE SCHOTTKY 20V 200MA SSM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:20V 電流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:500mV @ 200mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50μA @ 20V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:20pF @ 0V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-75，SOT-416 供應商器件封裝:SSM 工作溫度 - 結(jié):125°C（最大）標準包裝:1 1SS423(TE85L,F) 功能描述:DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V SSM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效二極管配置:1 對串聯(lián) 二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:40V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:100mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:620mV @ 100mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 40V 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-75，SOT-416 供應商器件封裝:SSM 標準包裝:1 1SV267-TB-E 1SV270TPH3F 1SV277TPH3F 1SV279,H3F 1SV279TH3FT 1SV280,H3F 1SV281(TPH3,F) 1SV281TH3FT 1SV282TPH3F 1SV285TPH3F 1SV304TPH3F 1SV305,H3F 1SV307(TPH3,F) 1SV308(TH3,F) 1SV308,L3F 1SV310TPH3F 1SV311(TPH3,F) 1SV314(TPL3,F)

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