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2N7002PS/ZLH

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功能描述
MOSFET 2 N-CH 60V 320MA SOT363
制造商
nexperia usa inc.
系列
-
零件狀態(tài)
停產(chǎn)
FET 類(lèi)型
2 個(gè) N 溝道（雙）
FET 功能
邏輯電平門(mén)
漏源電壓（Vdss）
60V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）
320mA（Ta）
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）
1.6 歐姆 @ 500mA，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）
2.4V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）
0.8nC @ 4.5V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）
50pF @ 10V
功率 - 最大值
990mW
工作溫度
150°C（TJ）
安裝類(lèi)型
表面貼裝
封裝/外殼
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供應(yīng)商器件封裝
SOT-363
標(biāo)準(zhǔn)包裝
3,000

2N7002PS/ZLH 技術(shù)參數(shù)

2N7002PS,125 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類(lèi)型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:320mA 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:1.6 歐姆 @ 500mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:0.8nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:50pF @ 10V 功率 - 最大值:420mW 工作溫度:150°C（TJ）安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應(yīng)商器件封裝:6-TSSOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N7002PS,115 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類(lèi)型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:320mA 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:1.6 歐姆 @ 500mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:0.8nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:50pF @ 10V 功率 - 最大值:420mW 工作溫度:150°C（TJ）安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應(yīng)商器件封裝:6-TSSOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N7002PM,315 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.3A SOT-883 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:300mA（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:250mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝/外殼:SC-101，SOT-883 供應(yīng)商器件封裝:DFN1006-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 2N7002P,235 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.36A SOT-23 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類(lèi)型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:360mA（Ta）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:0.8nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:50pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:350mW（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:1.6 歐姆 @ 500mA，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類(lèi)型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:TO-236AB（SOT23）封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N7002P,215 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.36A SOT-23 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類(lèi)型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:360mA（Ta）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:0.8nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:50pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:350mW（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:1.6 歐姆 @ 500mA，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類(lèi)型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:TO-236AB（SOT23）封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N7002T-7-F 2N7002TA 2N7002TC 2N7002-TP 2N7002TQ-7-F 2N7002T-TP 2N7002V 2N7002V-7 2N7002VA 2N7002VA-7 2N7002VA-7-F 2N7002VAC-7 2N7002VC-7 2N7002V-TP 2N7002W 2N7002W-7 2N7002W-7-F 2N7002WST1G

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