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2SA1972,F(J

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功能描述
TRANS PNP 500MA 400V TO226-3
制造商
toshiba semiconductor and storage
系列
-
包裝
散裝
零件狀態(tài)
停產(chǎn)
晶體管類型
PNP
電流 - 集電極（Ic）（最大值）
500mA
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
400V
不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）
1V @ 10mA，100mA
電流 - 集電極截止（最大值）
10μA（ICBO）
不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）
140 @ 20mA，5V
功率 - 最大值
900mW
頻率 - 躍遷
35MHz
工作溫度
150°C（TJ）
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-226-3，TO-92-3 長(zhǎng)體
供應(yīng)商器件封裝
TO-92MOD
標(biāo)準(zhǔn)包裝
1

2SA1972,F(J 技術(shù)參數(shù)

2SA1962RTU 功能描述:TRANS PNP 250V 17A TO-3P 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:17A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:250V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:3V @ 800mA，8A 電流 - 集電極截止（最大值）:5μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:55 @ 1A，5V 功率 - 最大值:130W 頻率 - 躍遷:30MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-3P-3，SC-65-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-3P 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 2SA1962OTU 功能描述:TRANS PNP 250V 17A TO-3P 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:17A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:250V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:3V @ 800mA，8A 電流 - 集電極截止（最大值）:5μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:80 @ 1A，5V 功率 - 最大值:130W 頻率 - 躍遷:30MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-3P-3，SC-65-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-3P 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 2SA1962-O(Q) 功能描述:TRANS PNP 230V 15A TO-3PN 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:15A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:230V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:3V @ 800mA，8A 電流 - 集電極截止（最大值）:5μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:80 @ 1A，5V 功率 - 最大值:130W 頻率 - 躍遷:30MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-3P-3，SC-65-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-3P（N）標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 2SA1955FVBTPL3Z 功能描述:TRANS PNP 12V 0.4A VESM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:400mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:250mV @ 10mA，200mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:300 @ 10mA，2V 功率 - 最大值:100mW 頻率 - 躍遷:130MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-723 供應(yīng)商器件封裝:VESM 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SA1955FVATPL3Z 功能描述:TRANS PNP 12V 0.4A VESM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:400mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:250mV @ 10mA，200mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:300 @ 10mA，2V 功率 - 最大值:100mW 頻率 - 躍遷:130MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-101，SOT-883 供應(yīng)商器件封裝:CST3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SA2013-TD-E 2SA2016-TD-E 2SA2018TL 2SA202800L 2SA2028G0L 2SA2029M3T5G 2SA2029T2LQ 2SA2029T2LR 2SA2030T2L 2SA2039-E 2SA2039-H 2SA2039-TL-E 2SA2039-TL-H 2SA2040-E 2SA2040-TL-E 2SA204600L 2SA2048KT146Q 2SA20570P

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