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2SC5087YTE85LF

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

2SC5087YTE85LF
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室
資質：營業執照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
只做原裝正品歡迎洽談電話010-62...

2SC5087YTE85LF
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
15000
TOSHIBA
1521+
-
全新原裝現貨

2SC5087YTE85LF
深圳市鴻昌盛電子科技有限公司
深圳市鴻昌盛電子科技有限公司
聯系人：陳小姐
電話：13428937514
地址：門市: 新華強廣場2樓公司: 深圳市福田區華強北路賽格廣場58樓5813室
資質：營業執照
5980
Toshiba Semiconductor and
2016+
-
公司現貨！只做原裝！

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1

您是不是要找： 2SC5088-O(TE85L,F) 2SC5095-O(TE85L,F) 2SC5095-R(TE85L,F) 2SC5096-O,LF 2SC5096-R,LF 2SC5099 2SC5100 2SC5101 2SC5103TLP

2SC5087YTE85LF PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

2SC5087YTE85LF PDF下載

制造商
Toshiba America Electronic Components
功能描述
TRANSISTOR NPN MM-SQM
制造商
Toshiba America Electronic Components
功能描述
Transistors Bipolar - BJT Radio-Freq Bipolar 80mA 150mW 12V

2SC5087YTE85LF 技術參數

2SC5087R(TE85L,F) 功能描述:TRANS RF NPN 12V 1MHZ SMQ 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:停產晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 頻率 - 躍遷:8GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:1.1dB ~ 2dB @ 1GHz 增益:- 功率 - 最大值:150mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:120 @ 20mA，10V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:80mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-61AA 供應商器件封裝:SMQ 標準包裝:1 2SC5087-O(TE85L,F) 功能描述:TRANS RF NPN 12V 1MHZ SMQ 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:停產晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 頻率 - 躍遷:7GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:1dB ~ 1.1dB @ 500MHz ~ 1GHz 增益:- 功率 - 最大值:150mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:80 @ 20mA，10V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:80mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-61AA 供應商器件封裝:SMQ 標準包裝:1 2SC5086-Y,LF 功能描述:TRANS RF NPN 12V 1MHZ SSM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:停產晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 頻率 - 躍遷:7GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:1dB @ 500MHz 增益:- 功率 - 最大值:100mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:120 @ 20mA，10V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:80mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-75，SOT-416 供應商器件封裝:SSM 標準包裝:1 2SC5086-O,LF 功能描述:TRANS RF NPN 12V 1MHZ SSM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 頻率 - 躍遷:7GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:1dB @ 500MHz 增益:- 功率 - 最大值:100mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:80 @ 20mA，10V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:80mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-75，SOT-416 供應商器件封裝:SSM 標準包裝:1 2SC5085-Y(TE85L,F) 功能描述:TRANSISTOR NPN MM USM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 頻率 - 躍遷:7GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:1.1dB @ 1GHz 增益:11dB ~ 16.5dB 功率 - 最大值:100mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:120 @ 20mA，10V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:80mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商器件封裝:USM 標準包裝:1 2SC5103TLQ 2SC5108-Y,LF 2SC51210P 2SC5130 2SC5161TLB 2SC5171(LBS2MATQ,M 2SC5171(ONK,Q,M) 2SC5171,MATUDQ(J 2SC5171,ONKQ(J 2SC5171,Q(J 2SC5172(YAZK,Q,M) 2SC5200 2SC5200N(S1,E,S) 2SC5200-O(Q) 2SC5200OTU 2SC5200RTU 2SC5201(T6MURATAFM 2SC5201(TE6,F,M)