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6AQ150KEBSA

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功能描述
CAP CER 15PF 500V 10% RADIAL
RoHS
否
類別
電容器 >> 陶瓷
系列
-
標準包裝
4,000
系列
-
電容
1000pF
電壓 - 額定
50V
容差
±10%
溫度系數
X7R
安裝類型
表面貼裝，MLCC
工作溫度
-55°C ~ 125°C
應用
自動
額定值
AEC-Q200
封裝/外殼
0805（2012 公制）
尺寸/尺寸
0.079" L x 0.047" W（2.00mm x 1.20mm）
高度 - 座高（最大）
-
厚度（最大）
-
引線間隔
-
特點
-
包裝
帶卷 (TR)
引線型
-

6AQ150KEBSA 技術參數

6A8-TP 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 6A R6 制造商:micro commercial co 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 電流 - 平均整流（Io）:6A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:950mV @ 6A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 800V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:R6，軸向供應商器件封裝:R-6 工作溫度 - 結:-55°C ~ 125°C 標準包裝:1 6A8TA 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 6A R-6 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 電流 - 平均整流（Io）:6A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:950mV @ 6A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 800V 不同?Vr，F 時的電容:150pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:R6，軸向供應商器件封裝:R-6 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:500 6A8-T 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 6A R6 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 電流 - 平均整流（Io）:6A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:900mV @ 6A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 800V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:R6，軸向供應商器件封裝:R-6 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 6A80GHR0G 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 6A R-6 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶卷（TR）零件狀態:在售二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 電流 - 平均整流（Io）:6A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1V @ 6A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 800V 不同?Vr，F 時的電容:60pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:R6，軸向供應商器件封裝:R-6 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:1,000 6A80GHB0G 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 6A R-6 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:散裝零件狀態:在售二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 電流 - 平均整流（Io）:6A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1V @ 6A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 800V 不同?Vr，F 時的電容:60pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:R6，軸向供應商器件封裝:R-6 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:400 6AT17-T2 6AT1-T 6AT2 6AT23 6AT29 6AT2-T 6AT3 6AT354 6AT3-T 6AT4 6AT42 6AT501 6AT501-T 6AT56-T2 6AT6 6AT7 6AT70 6AT7-T