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2SA1051B-O

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2SA1051B-O 技術參數

2SA1038STPS 功能描述:TRANS PNP 120V 0.05A SPT3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:50mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:120V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 1mA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:500nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:180 @ 2mA，6V 功率 - 最大值:300mW 頻率 - 躍遷:140MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:SC-72 成形引線供應商器件封裝:SPT 標準包裝:5,000 2SA1037AKT146S 功能描述:TRANS PNP 50V 0.15A SMT3 TR 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:Not Recommended For New Designs 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:150mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 5mA，50mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:120 @ 1mA，6V 功率 - 最大值:200mW 頻率 - 躍遷:140MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SMT3 標準包裝:1 2SA1037AKT146R 功能描述:TRANS PNP 50V 0.15A SOT-346 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:150mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 5mA，50mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:180 @ 1mA，6V 功率 - 最大值:200mW 頻率 - 躍遷:140MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SMT3 標準包裝:1 2SA1037AKT146Q 功能描述:TRANS PNP 50V 0.15A SOT-346 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:150mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 5mA，50mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:120 @ 1mA，6V 功率 - 最大值:200mW 頻率 - 躍遷:140MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SMT3 標準包裝:1 2SA1036KT146R 功能描述:TRANS PNP 32V 0.5A SOT-346 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:32V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:600mV @ 30mA，300mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:120 @ 100mA，3V 功率 - 最大值:200mW 頻率 - 躍遷:200MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SMT3 標準包裝:1 2SA1162-O,LF 2SA1162S-GR,LF(D 2SA1162S-Y, LF(D 2SA1162S-Y,LF 2SA1162-Y,LF 2SA1162YT1 2SA1163-BL,LF 2SA1163-GR,LF 2SA1179N6-CPA-TB-E 2SA1179N6-TB-E 2SA1182-GR(TE85L,F 2SA1182-O(TE85L,F) 2SA1182-Y,LF 2SA1186 2SA1201-Y-TP 2SA1213-Y-TP 2SA1215 2SA1216