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A2T21H410-24SR6

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封裝
批號
價格
說明
操作

A2T21H410-24SR6
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
FreescaleSemiconductor-NX
原廠封裝
最新批號
-
一級代理.原裝特價現(xiàn)貨！

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A2T21H410-24SR6 PDF下載

功能描述
RF Mosfet LDMOS (Dual) 28V 600mA 2.17GHz 15.6dB 72W NI-1230-4LS2L
制造商
freescale semiconductor - nxp
系列
-
包裝
帶卷（TR）
零件狀態(tài)
有效
晶體管類型
LDMOS（雙）
頻率
2.17GHz
增益
15.6dB
電壓 - 測試
28V
額定電流
-
噪聲系數(shù)
-
電流 - 測試
600mA
功率 - 輸出
72W
電壓 - 額定
65V
封裝/外殼
NI-1230-4LS2L
供應商器件封裝
NI-1230-4LS2L
標準包裝
150

A2T21H410-24SR6 技術參數(shù)

A2T21H360-24SR6 功能描述:RF Mosfet LDMOS 28V 500mA 2.14GHz 16.2dB 63W NI-1230-4LS2L 制造商:freescale semiconductor - nxp 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效晶體管類型:LDMOS 頻率:2.14GHz 增益:16.2dB 電壓 - 測試:28V 額定電流:- 噪聲系數(shù):- 電流 - 測試:500mA 功率 - 輸出:63W 電壓 - 額定:65V 封裝/外殼:NI-1230-4LS2L 供應商器件封裝:NI-1230-4LS2L 標準包裝:150 A2T21H360-23NR6 功能描述:RF TRANS 2.1GHZ 360W OM1230-4L2S 制造商:nxp usa inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):在售晶體管類型:LDMOS（雙）頻率:2.11GHz ~ 2.2GHz 增益:16.8dB 電壓 - 測試:28V 額定電流:10μA 噪聲系數(shù):- 電流 - 測試:500mA 功率 - 輸出:373W 電壓 - 額定:65V 封裝/外殼:OM-1230-4L2L 供應商器件封裝:OM-1230-4L2L 標準包裝:150 A2T21H140-24SR3 功能描述:RF MOSFET LDMOS DUAL 28V OM780-4 制造商:nxp usa inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):在售晶體管類型:LDMOS（雙）頻率:2.11GHz ~ 2.17GHz 增益:17.4dB 電壓 - 測試:28V 額定電流:10μA 噪聲系數(shù):- 電流 - 測試:350mA 功率 - 輸出:169W 電壓 - 額定:65V 封裝/外殼:OM780-4 供應商器件封裝:OM780-4 標準包裝:250 A2T21H100-25SR3 功能描述:IC RF LDMOS TRANS CELL 制造商:freescale semiconductor - nxp 系列:* 零件狀態(tài):有效標準包裝:250 A2T20H330W24SR6 功能描述:RF Mosfet LDMOS (Dual) 28V 700mA 1.88GHz 16.5dB 58W NI-1230-4LS2L 制造商:freescale semiconductor - nxp 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效晶體管類型:LDMOS（雙）頻率:1.88GHz 增益:16.5dB 電壓 - 測試:28V 額定電流:- 噪聲系數(shù):- 電流 - 測試:700mA 功率 - 輸出:58W 電壓 - 額定:65V 封裝/外殼:NI-1230-4LS2L 供應商器件封裝:NI-1230-4LS2L 標準包裝:150 A2T26H300-24SR6 A2T27S007NT1 A2T27S020GNR1 A2T27S020NR1 A2V07H400-04NR3 A2V07H525-04NR6 A2V09H300-04NR3 A2V09H400-04NR3 A2V09H525-04NR6 A-3 A300 A300A A301 A301-100-F3 A30110204 A30110204MP A30110207 A301103