久久99亚洲热视_国产精品麻豆一区二区_国产精品美女久久久久久不卡_欧美一区二区三区爱爱

您好，歡迎來到買賣IC網登錄 | 免費注冊

管理采購發布采購信息

您現在的位置：買賣IC網 > A字母型號搜索 > A字母第2203頁 >

ALD1102BPAL

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

1/1頁 40條/頁共40條
1

您是不是要找： ALD1102BSAL ALD1102PAL ALD1102SAL ALD1103PBL ALD1103SBL ALD1105PBL ALD1105SBL ALD1106PBL ALD1106SBL

ALD1102BPAL PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

ALD1102BPAL PDF下載

功能描述
MOSFET Dual P-Channel Pair
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
650 V
閘/源擊穿電壓
25 V
漏極連續電流
130 A
電阻汲極/源極 RDS（導通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
安裝風格
Through Hole
封裝 / 箱體
Max247
封裝
Tube

ALD1102BPAL 技術參數

ALD1102ASAL 功能描述:MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC 制造商:advanced linear devices inc. 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:2 P 溝道（雙）配對 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:10.6V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:270 歐姆 @ 5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 10μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:0°C ~ 70°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:8-SOIC 標準包裝:50 ALD1102APAL 功能描述:MOSFET 2P-CH 10.6V 8DIP 制造商:advanced linear devices inc. 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:2 P 溝道（雙）配對 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:10.6V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:270 歐姆 @ 5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 10μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:0°C ~ 70°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm）供應商器件封裝:8-PDIP 標準包裝:50 ALD1101SAL 功能描述:MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC 制造商:advanced linear devices inc. 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:2 N 溝道（雙）配對 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:10.6V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:75 歐姆 @ 5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 10μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:0°C ~ 70°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:8-SOIC 標準包裝:50 ALD1101PAL 功能描述:MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP 制造商:advanced linear devices inc. 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:2 N 溝道（雙）配對 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:10.6V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:75 歐姆 @ 5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 10μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:0°C ~ 70°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm）供應商器件封裝:8-PDIP 標準包裝:50 ALD1101BSAL 功能描述:MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC 制造商:advanced linear devices inc. 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:2 N 溝道（雙）配對 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:10.6V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:40mA 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:0°C ~ 70°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:8-SOIC 標準包裝:50 ALD1107PBL ALD1107SBL ALD110800APCL ALD110800ASCL ALD110800PCL ALD110800SCL ALD110802PCL ALD110802SCL ALD110804PCL ALD110804SCL ALD110808APCL ALD110808ASCL ALD110808PCL ALD110808SCL ALD110814PCL ALD110814SCL ALD1108EPCL ALD1108ESCL