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AO3423/AO3419

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AO3423/AO3419 技術(shù)參數(shù)

AO3423 功能描述:MOSFET P-CH 20V 2A SOT23 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，2.5V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:2A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:92 毫歐 @ 2A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:6.6nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:620pF @ 10V 功率 - 最大值:1.4W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23-3L 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AO3422 功能描述:MOSFET N-CH 55V 2.1A SOT23 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，2.5V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:2.1A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:160 毫歐 @ 2.1A，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:3.3nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:300pF @ 25V 功率 - 最大值:1.25W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23-3L 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AO3421L 功能描述:MOSFET P-CH 30V 2.6A SOT23-3 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:2.6A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:130 毫歐 @ 2.6A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:9nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:370pF @ 15V 功率 - 最大值:1.4W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23-3L 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AO3421E 功能描述:MOSFET P-CH 30V 3A SOT23 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:3A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:95 毫歐 @ 3A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:8nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:215pF @ 15V 功率 - 最大值:1.4W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23-3L 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AO3421 功能描述:MOSFET P-CH 30V 2.6A SOT23 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:2.6A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:110 毫歐 @ 2.6A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:5.2nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:240pF @ 15V 功率 - 最大值:1.4W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23-3L 標(biāo)準(zhǔn)包裝:6,000 AO3460 AO3460L AO4202 AO4202_120 AO4202L AO4240 AO4260 AO4262E AO4264 AO4264_101 AO4264_DELTA AO4264E AO4266 AO4266E AO4268 AO4286 AO4290A AO4292

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