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AO4720L

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AO4720L
深圳市晶美隆科技有限公司
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聯系人：李林
電話：0755-8251939113714584659李先生（可開13%增票，3
地址：深圳市福田區華強北電子科技大夏A座36樓C09
資質：營業執照
18210
AOS
SOP8
24+
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AO4720L
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
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AO4720L 技術參數

AO4720 功能描述:MOSFET N-CH 30V 13A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:SRFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，肖特基，金屬氧化物! FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:13A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:11 毫歐 @ 13A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:30nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1600pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:8-SOIC 標準包裝:1 AO4718 功能描述:MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:SRFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，肖特基，金屬氧化物! FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:15A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:9 毫歐 @ 15A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:32nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1950pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:8-SOIC 標準包裝:1 AO4714 功能描述:MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:SRFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，肖特基，金屬氧化物! FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:20A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4.7 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:74nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4512pF @ 15V 功率 - 最大值:3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:8-SOIC 標準包裝:1 AO4712 功能描述:MOSFET N-CH 30V 11.2A 8-SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:SRFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，肖特基，金屬氧化物! FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:13A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:14.5 毫歐 @ 11.2A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:31nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1885pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:8-SOIC 標準包裝:1 AO4710L_101 功能描述:MOSFET P-CH 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:停產 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:12.7A（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:43nC @ 10V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:2376pF @ 15V FET 功能:肖特基二極管（體）功率耗散（最大值）:3.1W（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:11.8 毫歐 @ 12.7A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:8-SOIC 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）標準包裝:3,000 AO4800L AO4801A AO4801AL AO4801AL_001 AO4801AS AO4801HL AO4801L AO4803A AO4803AL AO4803L AO4805 AO4805L_101 AO4806 AO4806L AO4807 AO4807_101 AO4807L AO4812_101

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