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APT2012IT

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APT2012IT 技術(shù)參數(shù)

APT2012F3C 功能描述:Infrared (IR) Emitter 940nm 1.2V 50mA 1.2mW/sr @ 20mA 120° 0805 (2012 Metric) 制造商:kingbright 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效類型:紅外（IR）電流 - DC 正向（If）:50mA 不同 If 時的輻射強度（Ie）（最小值）:1.2mW/sr @ 20mA 波長:940nm 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:1.2V 視角:120° 朝向:頂視圖工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:0805（2012 公制）標準包裝:1 APT2012EC 功能描述:Red 617nm LED Indication - Discrete 2V 0805 (2012 Metric) 制造商:kingbright 系列:HELI2 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效顏色:紅透鏡顏色:無色透鏡透明度:透明毫燭光等級:8mcd 透鏡樣式/尺寸:矩形，帶平頂，1.30mm x 1.25mm 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:2V 電流 - 測試:20mA 視角:120° 安裝類型:表面貼裝波長 - 主:617nm 波長 - 峰值:627nm 特性:- 封裝/外殼:0805（2012 公制）供應商器件封裝:片式 LED 大小/尺寸:2.00mm 長 x 1.25mm 寬高度（最大值）:0.75mm 標準包裝:1 APT2012CGCK 功能描述:Green 570nm LED Indication - Discrete 2.1V 0805 (2012 Metric) 制造商:kingbright 系列:HELI2 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效顏色:綠透鏡顏色:無色透鏡透明度:透明毫燭光等級:50mcd 透鏡樣式/尺寸:矩形，帶平頂，1.30mm x 1.25mm 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:2.1V 電流 - 測試:20mA 視角:120° 安裝類型:表面貼裝波長 - 主:570nm 波長 - 峰值:574nm 特性:- 封裝/外殼:0805（2012 公制）供應商器件封裝:片式 LED 大小/尺寸:2.00mm 長 x 1.25mm 寬高度（最大值）:0.75mm 標準包裝:1 APT200GT60JR 功能描述:IGBT 600V 195A ISOTOP 制造商:microsemi corporation 系列:Thunderbolt IGBT? 零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:NPT 配置:單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:195A 功率 - 最大值:500W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.5V @ 15V，200A 電流 - 集電極截止（最大值）:25μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:8.65nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商器件封裝:SOT-227 標準包裝:1 APT200GN60JG 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 600V 283A 682W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):停產(chǎn) IGBT 類型:溝槽型場截止配置:單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:283A 功率 - 最大值:682W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:1.85V @ 15V，200A 電流 - 集電極截止（最大值）:25μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:14.1nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝/外殼:ISOTOP 供應商器件封裝:ISOTOP? 標準包裝:30 APT2012QBC/D APT2012QWF/F APT2012RWF/A APT2012SECK APT2012SECK/J3-PRV APT2012SECK/J4-PRV APT2012SF4C-PRV APT2012SGC APT2012SRCPRV APT2012SURCK APT2012SYCK APT2012SYCK/J3-PRV APT2012VBC/D APT2012YC APT2012ZGC APT2012ZGC/E APT2012ZGCK APT20DC120HJ