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APT20GF120KR功率絕緣柵雙極晶體管

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APT20GF120KR功率絕緣柵雙極晶體管技術(shù)參數(shù)

APT20GF120BRG 功能描述:IGBT NPT 1200V 32A 200W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):過期 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:32A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):64A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:3.2V @ 15V，15A 功率 - 最大值:200W 開關(guān)能量:2.7mJ 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:95nC 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值:17ns/105ns 測試條件:- 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 APT20GF120BRDQ1G 功能描述:IGBT NPT 1200V 36A 200W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):過期 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:36A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):64A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:3.2V @ 15V，15A 功率 - 最大值:200W 開關(guān)能量:895μJ（開），840μJ（關(guān)）輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:100nC 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值:10ns/120ns 測試條件:800V，15A，4.3 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 APT20F50S 功能描述:MOSFET N-CH 500V 20A D3PAK 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:20A（Tc）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 500μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:75nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:2950pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:290W（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:300 毫歐 @ 10A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:D3Pak 封裝/外殼:TO-268-3，D3Pak（2 引線 + 接片），TO-268AA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT20F50B 功能描述:MOSFET N-CH 500V 20A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:20A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:300 毫歐 @ 10A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 500μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:75nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2950pF @ 25V 功率 - 最大值:290W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT20DC120HJ 功能描述:RECT BRIDGE 20A 1200V SOT227 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):在售二極管類型:單相技術(shù):碳化硅肖特基電壓 - 峰值反向（最大值）:1.2kV 電流 - 平均整流（Io）:20A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf:1.8V @ 20A 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:400μA @ 1200V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:SOT-227 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT20M22B2VFRG APT20M22B2VRG APT20M22JVRU2 APT20M22JVRU3 APT20M22LVFRG APT20M22LVRG APT20M38BVFRG APT20M38BVRG APT20M38SVFRG APT20M38SVRG APT20M38SVRG/TR APT20M45BVFRG APT20M45BVRG APT20N60BC3G APT20N60SC3G APT20SCD120B APT20SCD120S APT20SCD65K

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