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APT20M45SVR

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

APT20M45SVR
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
5000
ADVANCED POWER TECHNOLOGI
NULL
NULL
-
假一罰十，百分百原裝正品

APT20M45SVRG
北京首天偉業科技有限公司
北京首天偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 廣東省深圳市福田區華強北街道電子科技大廈C座23E
資質：營業執照
5000
MS
原裝正品
07+
-
假一罰十，百分百原裝正品

APT20M45SVR
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
5000
APT
原廠封裝
15+
-
原裝正品，假一罰十

APT20M45SVR
無錫固電半導體股份有限公司
無錫固電半導體股份有限公司
聯系人：張小姐
電話：15961889150
地址：江蘇省無錫市新區新梅路68號
資質：營業執照
1000
isc/固電半導體
TO-268
25+
-
國產品牌，替代進口

APT20M45SVR
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
聯系人：賴先生
電話：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田區深南中路2070號電子科技大廈A座27樓2702號
資質：營業執照
13224
APT
直插/貼片
2025+
-
不怕你不買只怕你不問

APT20M45SVRG
深圳市思諾康科技有限公司
深圳市思諾康科技有限公司
聯系人：張小姐/Vivianvi
電話：0755-83286481
地址：坂田街道東坡路3號萬致天地商業中心（A塔）1棟一單元1602
9900
Microchip Technology
TO-268-3
23+
-
微芯專營優勢產品

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1

您是不是要找： APT20N60BC3G APT20N60SC3G APT20SCD120B APT20SCD120S APT20SCD65K APT21M100J APT22F100J APT22F120B2 APT22F120L

APT20M45SVR PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

APT20M45SVR PDF下載

制造商
ADPOW
制造商全稱
Advanced Power Technology
功能描述
Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.

APT20M45SVR 技術參數

APT20M45BVRG 功能描述:MOSFET N-CH 200V 56A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS V? 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:56A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:45 毫歐 @ 500mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:195nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4860pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247 [B] 標準包裝:1 APT20M45BVFRG 功能描述:MOSFET N-CH 200V 56A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS V? 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:56A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:45 毫歐 @ 500mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:195nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4860pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247 [B] 標準包裝:1 APT20M38SVRG/TR 功能描述:MOSFET N-CH 200V 67A D3PAK 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS V? 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:67A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:38 毫歐 @ 33.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:225nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:6120pF @ 25V 功率 - 最大值:370W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D3Pak 標準包裝:400 APT20M38SVRG 功能描述:MOSFET N-CH 200V 67A D3PAK 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS V? 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:67A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:38 毫歐 @ 500mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:225nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:6120pF @ 25V 功率 - 最大值:370W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-268-3，D3Pak（2 引線+接片），TO-268AA 供應商器件封裝:D3 [S] 標準包裝:1 APT20M38SVFRG 功能描述:MOSFET N-CH 200V 67A D3PAK 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS V? 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:67A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:38 毫歐 @ 500mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:225nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:6120pF @ 25V 功率 - 最大值:370W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-268-3，D3Pak（2 引線+接片），TO-268AA 供應商器件封裝:D3 [S] 標準包裝:1 APT22F80B APT22F80S APT23F60B APT23F60S APT24F50B APT24F50S APT24M120B2 APT24M120L APT24M80B APT24M80S APT25GLQ120JCU2 APT25GN120B2DQ2G APT25GN120BG APT25GN120SG APT25GP120BDQ1G APT25GP120BG APT25GP90BDQ1G APT25GP90BG