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APT50M50PVR

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APT50M50PVR
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
5000
APT
原廠封裝
15+
-
原裝正品，假一罰十

APT50M50PVR
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
5000
APT
深圳現貨質量保證
09+
-
假一罰十，百分百原裝正品

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您是不是要找： APT50M65B2FLLG APT50M65B2LLG APT50M65JFLL APT50M65JLL APT50M65LFLLG APT50M65LLLG APT50M75B2LLG APT50M75JLLU2 APT50M75JLLU3

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制造商
ADPOW
制造商全稱
Advanced Power Technology
功能描述
Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.

APT50M50PVR 技術參數

APT50M50JLL 功能描述:MOSFET N-CH 500V 71A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:71A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:50 毫歐 @ 35.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:200nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:10550pF @ 25V 功率 - 最大值:595W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商器件封裝:ISOTOP? 標準包裝:1 APT50M38JLL 功能描述:MOSFET N-CH 500V 88A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:88A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:38 毫歐 @ 44A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:270nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:12000pF @ 25V 功率 - 最大值:694W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商器件封裝:ISOTOP? 標準包裝:10 APT50GT60BRG 功能描述:IGBT NPT 600V 110A 446W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:Thunderbolt IGBT? 包裝:管件零件狀態:有效 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:110A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):150A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.5V @ 15V，50A 功率 - 最大值:446W 開關能量:995μJ（開），1070μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:240nC 25°C 時 Td（開/關）值:14ns/240ns 測試條件:400V，50A，4.3 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-247 [B] 標準包裝:1 APT50GT60BRDQ2G 功能描述:IGBT NPT 600V 110A 446W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:Thunderbolt IGBT? 包裝:管件零件狀態:有效 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:110A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):150A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.5V @ 15V，50A 功率 - 最大值:446W 開關能量:995μJ（開），1070μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:240nC 25°C 時 Td（開/關）值:14ns/240ns 測試條件:400V，50A，5 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:22ns 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-247 [B] 標準包裝:1 APT50GT120LRDQ2G 功能描述:IGBT NPT 1200V 106A 694W Through Hole TO-264 [L] 制造商:microsemi corporation 系列:Thunderbolt IGBT? 包裝:管件零件狀態:有效 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:106A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):150A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3.7V @ 15V，50A 功率 - 最大值:694W 開關能量:2585μJ（開），1910μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:240nC 25°C 時 Td（開/關）值:23ns/215ns 測試條件:800V，50A，1 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-264-3，TO-264AA 安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-264 [L] 標準包裝:1 APT50MC120JCU2 APT50N60JCCU2 APT50N60JCU2 APT51F50J APT51M50J APT53F80J APT53N60BC6 APT54GA60B APT54GA60BD30 APT5510JFLL APT5518BFLLG APT55M50JFLL APT55M65JFLL APT56F50B2 APT56F50L APT56F60B2 APT56F60L APT56M50B2