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APT50SM120B

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APT50SM120B 技術(shù)參數(shù)

APT50N60JCU2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 52A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:52A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:45 毫歐 @ 22.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 3mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:150nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:7200pF @ 25V 功率 - 最大值:290W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類(lèi)型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:SOT-227 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT50N60JCCU2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 50A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:50A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:45 毫歐 @ 22.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 3mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:150nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:6800pF @ 25V 功率 - 最大值:290W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類(lèi)型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:SOT-227 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT50MC120JCU2 功能描述:MOSFET N-CH 1200V SOT227 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV）電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:71A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:34 毫歐 @ 50A，20V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 1mA（標(biāo)準(zhǔn)）不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:179nC @ 20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2980pF @ 1000V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類(lèi)型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:SOT-227 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT50M75JLLU3 功能描述:MOSFET N-CH 500V 51A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:51A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:75 毫歐 @ 25.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:123nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:5590pF @ 25V 功率 - 最大值:290W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類(lèi)型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:SOT-227 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT50M75JLLU2 功能描述:MOSFET N-CH 500V 51A SOT227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:51A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:75 毫歐 @ 25.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:123nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:5590pF @ 25V 功率 - 最大值:290W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類(lèi)型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:SOT-227 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT55M65JFLL APT56F50B2 APT56F50L APT56F60B2 APT56F60L APT56M50B2 APT56M50L APT56M60B2 APT56M60L APT58F50J APT58M50J APT58M50JCU2 APT58M50JU2 APT58M50JU3 APT58M80J APT58MJ50J APT5F100K APT6010B2LLG

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