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APT546-227-1A20

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說明
操作

APT546-227-1A20
深圳市科思奇電子科技有限公司
深圳市科思奇電子科技有限公司
聯系人：林小姐/歐陽先生
電話：0755-832450508278593918923762408微信同號
地址：深圳市福田區上步工業區501棟1109-1110室
資質：營業執照
6000
APT
原廠原裝
23+
-
只做原裝正品

APT546-227-1A20
深圳市億聯芯電子科技有限公司
深圳市億聯芯電子科技有限公司
聯系人：吳經理
電話：18138401919
地址：深圳市福田區賽格科技園四棟中6樓6K31
69880
APT
MODULE
2021+
-
★★正規渠道★原廠正品最新貨源現貨供應★...

APT546-227-1A20
香港新鵬輝電子有限公司
香港新鵬輝電子有限公司
聯系人：銷售經理：馬先生
電話：0755-8335078918923859456
地址：深圳市福田區福華路世界貿易廣場C座1106
資質：營業執照
26550
APT
正品封裝
25+
-
正規商現貨供應

1/1頁 40條/頁共4條
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您是不是要找： APT54GA60B APT54GA60BD30 APT5510JFLL APT5518BFLLG APT55M50JFLL APT55M65JFLL APT56F50B2 APT56F50L APT56F60B2

APT546-227-1A20 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

APT546-227-1A20 技術參數

APT53N60BC6 功能描述:MOSFET N-CH 600V 53A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:53A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:70 毫歐 @ 25.8A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 1.72mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:154nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4020pF @ 25V 功率 - 最大值:417W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247 [B] 標準包裝:1 APT53F80J 功能描述:MOSFET N-CH 800V 57A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:57A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:110 毫歐 @ 43A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:570nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:17550pF @ 25V 功率 - 最大值:960W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商器件封裝:ISOTOP? 標準包裝:1 APT51M50J 功能描述:MOSFET N-CH 500V 51A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:51A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:75 毫歐 @ 37A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:290nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:11600pF @ 25V 功率 - 最大值:480W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商器件封裝:ISOTOP? 標準包裝:1 APT51F50J 功能描述:MOSFET N-CH 500V 51A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:51A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:75 毫歐 @ 37A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:290nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:11600pF @ 25V 功率 - 最大值:480W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商器件封裝:ISOTOP? 標準包裝:1 APT50N60JCU2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 52A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:52A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:45 毫歐 @ 22.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 3mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:150nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:7200pF @ 25V 功率 - 最大值:290W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商器件封裝:SOT-227 標準包裝:1 APT56F60L APT56M50B2 APT56M50L APT56M60B2 APT56M60L APT58F50J APT58M50J APT58M50JCU2 APT58M50JU2 APT58M50JU3 APT58M80J APT58MJ50J APT5F100K APT6010B2LLG APT6013JLL APT6013LLLG APT6017LFLLG APT6017LLLG