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APT801R2BF

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    APT801R2BF

  • 深圳市華金瑞電子有限公司
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APT801R2BF 技術(shù)參數(shù)
  • APT8018JN 功能描述:MOSFET N-CH 800V 40A ISOTOP 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS IV? 包裝:托盤 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):800V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):40A(Tc) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):700nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):14000pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):690W(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):180 毫歐 @ 20A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 供應(yīng)商器件封裝:ISOTOP? 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT8014JLL 功能描述:MOSFET N-CH 800V 42A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):800V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):42A 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):140 毫歐 @ 21A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):285nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):7238pF @ 25V 功率 - 最大值:595W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:ISOTOP? 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 APT7M120S 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 8A D3PAK 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):1200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):8A(Tc) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):80nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):2565pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):335W(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):2.1 歐姆 @ 3A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:D3Pak 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT7M120B 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 8A TO247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):1200V(1.2kV) 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):8A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):2.5 歐姆 @ 3A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):80nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):2565pF @ 25V 功率 - 最大值:335W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT7F80K 功能描述:MOSFET N-CH 800V 7A TO-220 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):800V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):7A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):1.5 歐姆 @ 4A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 500μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):43nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):1335pF @ 25V 功率 - 最大值:225W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 [K] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 APT80GA60B APT80GA60LD40 APT80GA90B APT80GA90LD40 APT80GP60J APT80M60J APT80SM120B APT80SM120J APT80SM120S APT84F50B2 APT84F50L APT84M50B2 APT84M50L APT85GR120B2 APT85GR120J APT85GR120JD60 APT85GR120L APT8DQ60KCTG
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