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APTC60BBM24T3G

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封裝
批號
價格
說明
操作

APTC60BBM24T3G
深圳市思諾康科技有限公司
深圳市思諾康科技有限公司
聯系人：張小姐/Vivianvi
電話：0755-83286481
地址：坂田街道東坡路3號萬致天地商業中心（A塔）1棟一單元1602
9900
Microchip Technology
SP3
23+
-
微芯專營優勢產品

1/1頁 40條/頁共9條
1

您是不是要找： APTC60DAM18CTG APTC60DAM24T1G APTC60DAM35T1G APTC60DDAM24T3G APTC60DDAM35T3G APTC60DDAM45T1G APTC60DDAM70T1G APTC60DDAM70T3G APTC60DHM24T3G

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功能描述
MOSFET N CH 600V 95A SP3F
RoHS
是
類別
半導體模塊 >> FET
系列
CoolMOS™
標準包裝
10
系列
*

APTC60BBM24T3G 技術參數

APTC60AM83BC1G 功能描述:MOSFET 3N-CH 600V 36A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:托盤零件狀態:停產 FET 類型:3 N 溝道（相角 + 升壓斬波電路） FET 功能:超級結漏源電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:36A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:83 毫歐 @ 24.5A、 10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 3mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:250nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:7200pF @ 25V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP1 供應商器件封裝:SP1 標準包裝:1 APTC60AM83B1G 功能描述:MOSFET 3N-CH 600V 36A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:托盤零件狀態:停產 FET 類型:3 N 溝道（相角 + 升壓斬波電路） FET 功能:超級結漏源電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:36A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:83 毫歐 @ 24.5A、 10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 3mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:250nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:7200pF @ 25V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP1 供應商器件封裝:SP1 標準包裝:1 APTC60AM70T1G 功能描述:MOSFET 2N-CH 600V 39A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期 FET 類型:2 個 N 通道（半橋） FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:39A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:70 毫歐 @ 39A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2.7mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:259nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:7000pF @ 25V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP1 供應商器件封裝:SP1 標準包裝:1 APTC60AM45T1G 功能描述:MOSFET 2N-CH 600V 49A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效 FET 類型:2 個 N 通道（半橋） FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:49A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:45 毫歐 @ 24.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 3mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:150nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:7200pF @ 25V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP1 供應商器件封裝:SP1 標準包裝:1 APTC60AM45BC1G 功能描述:MOSFET 3N-CH 600V 49A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:散裝零件狀態:有效 FET 類型:3?N 溝道（相角 + 升壓斬波電路） FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:49A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:45 毫歐 @ 24.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 3mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:150nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:7200pF @ 25V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP1 供應商器件封裝:SP1 標準包裝:1 APTC60DSKM24T3G APTC60DSKM35T3G APTC60DSKM45T1G APTC60DSKM70T1G APTC60DSKM70T3G APTC60HM24T3G APTC60HM35T3G APTC60HM45SCTG APTC60HM45T1G APTC60HM70BT3G APTC60HM70RT3G APTC60HM70SCTG APTC60HM70T1G APTC60HM70T3G APTC60HM83FT2G APTC60SKM24CT1G APTC60SKM24T1G APTC60SKM35T1G