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APTGLQ40H120T1G

配單專家企業名單

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批號
價格
說明
操作

APTGLQ40H120T1G
深圳市思諾康科技有限公司
深圳市思諾康科技有限公司
聯系人：張小姐/Vivianvi
電話：0755-83286481
地址：坂田街道東坡路3號萬致天地商業中心（A塔）1棟一單元1602
9900
Microchip Technology
SP1
23+
-
微芯專營優勢產品

APTGLQ40H120T1G
北京京華特科技有限公司
北京京華特科技有限公司
聯系人：張小姐/韓先生
電話：010-86398446-8061581080972213911315253
地址：北京市朝陽區建國門外大街9號樓603室
1
MICROCHIP
N/A ㊣品
N/A 原裝進口
-
代理渠道可追溯現貨庫存F

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您是不是要找： APTGLQ40HR120CT3G APTGLQ50DDA65T3G APTGLQ50H65T1G APTGLQ50H65T3G APTGLQ50TL65T3G APTGLQ50VDA65T3G APTGLQ600A65T6G APTGLQ75H120T3G APTGLQ75H120TG

APTGLQ40H120T1G PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

APTGLQ40H120T1G PDF下載

制造商
Microsemi Corporation
功能描述
POWER IGBT TRANSISTOR

APTGLQ40H120T1G 技術參數

APTGLQ40DDA120CT3G 功能描述:PWR MOD IGBT4 1200V 700A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:在售 IGBT 類型:溝槽型場截止配置:雙路升壓斬波器電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:75A 功率 - 最大值:250W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.4V @ 15V，40A 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:2.3nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是工作溫度:-40°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:SP6 供應商器件封裝:SP6 標準包裝:1 APTGLQ400A120T6G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200V 700A 1900W Through Hole SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:有效 IGBT 類型:溝槽型場截止配置:半橋電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:700A 功率 - 最大值:1900W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.4V @ 15V，400A 電流 - 集電極截止（最大值）:200μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:24.6nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是安裝類型:通孔封裝/外殼:SP6 供應商器件封裝:SP6 標準包裝:1 APTGLQ30H65T3G 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:在售 IGBT 類型:溝槽型場截止配置:全橋電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:40A 功率 - 最大值:95W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.3V @ 15V，30A 電流 - 集電極截止（最大值）:50μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:1.9nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是工作溫度:-40°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:模塊標準包裝:1 APTGLQ300SK120G 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:在售 IGBT 類型:溝槽型場截止配置:降壓斬波器電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500A 功率 - 最大值:1500W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.42V @ 15V，300A 電流 - 集電極截止（最大值）:200μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:17.6nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無工作溫度:-40°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:模塊供應商器件封裝:SP6 標準包裝:1 APTGLQ300H65G 功能描述:PWR MOD IGBT4 650V 600A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:在售 IGBT 類型:溝槽型場截止配置:全橋電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:600A 功率 - 最大值:1000W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.3V @ 15V，300A 電流 - 集電極截止（最大值）:300μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:18.3nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無工作溫度:-40°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:SP6 供應商器件封裝:SP6 標準包裝:1 APTGLQ75H65T1G APTGLQ80HR120CT3G APTGT100A1202G APTGT100A120D1G APTGT100A120T3AG APTGT100A120TG APTGT100A170D1G APTGT100A170TG APTGT100A602G APTGT100A60T1G APTGT100A60TG APTGT100BB60T3G APTGT100DA120D1G APTGT100DA120T1G APTGT100DA120TG APTGT100DA170D1G APTGT100DA170TG APTGT100DA60T1G