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APTGT200SK170D3G

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封裝
批號
價格
說明
操作

APTGT200SK170D3G
深圳市鴻昌盛電子科技有限公司銷售一部
深圳市鴻昌盛電子科技有限公司銷售一部
聯系人：朱小姐
電話：13428937514
地址：深圳市福田區華強北路賽格廣場58樓5813
資質：營業執照
2360
Microsemi
模塊
14+
-
全新原裝現貨，

APTGT200SK170D3G
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
5000
MICROSEMI
1521+
-
全新原裝現貨

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1

您是不是要找： APTGT200SK60T3AG APTGT200SK60TG APTGT200TL60G APTGT20A60T1G APTGT20DDA60T3G APTGT20DSK60T3G APTGT20H60T1G APTGT20H60T3G APTGT20TL601G

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功能描述
IGBT 1700V 400A 1250W D3
RoHS
是
類別
半導體模塊 >> IGBT
系列
-
標準包裝
10
系列
GenX3™
IGBT 類型
PT
配置
單一
電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）
600V
Vge, Ic時的最大Vce（開）
1.4V @ 15V，100A
電流 - 集電極 (Ic)（最大）
430A
電流 - 集電極截止（最大）
100µA
Vce 時的輸入電容 (Cies)
31nF @ 25V
功率 - 最大
1000W
輸入
標準
NTC 熱敏電阻
無
安裝類型
底座安裝
封裝/外殼
SOT-227-4，miniBLOC
供應商設備封裝
SOT-227B

APTGT200SK170D3G 技術參數

APTGT200SK120G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 280A 890W Chassis Mount SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:有效 IGBT 類型:溝槽型場截止配置:單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:280A 功率 - 最大值:890W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.1V @ 15V，200A 電流 - 集電極截止（最大值）:350μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:14nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP6 供應商器件封裝:SP6 標準包裝:1 APTGT200SK120D3G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 300A 1050W Chassis Mount D3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:有效 IGBT 類型:溝槽型場截止配置:單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:300A 功率 - 最大值:1050W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.1V @ 15V，200A 電流 - 集電極截止（最大值）:6mA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:14nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝/外殼:D-3 模塊供應商器件封裝:D3 標準包裝:1 APTGT200H60G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Full Bridge Inverter 600V 290A 625W Chassis Mount SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:有效 IGBT 類型:溝槽型場截止配置:全橋反相器電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:290A 功率 - 最大值:625W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:1.9V @ 15V，200A 電流 - 集電極截止（最大值）:250μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:12.3nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP6 供應商器件封裝:SP6 標準包裝:1 APTGT200H120G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Full Bridge Inverter 1200V 280A 890W Chassis Mount SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:有效 IGBT 類型:溝槽型場截止配置:全橋反相器電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:280A 功率 - 最大值:890W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.1V @ 15V，200A 電流 - 集電極截止（最大值）:350μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:14nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP6 供應商器件封裝:SP6 標準包裝:1 APTGT200DU60TG 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Dual, Common Source 600V 290A 625W Chassis Mount SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:有效 IGBT 類型:溝槽型場截止配置:雙，共源電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:290A 功率 - 最大值:625W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:1.9V @ 15V，200A 電流 - 集電極截止（最大值）:250μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:12.3nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP4 供應商器件封裝:SP4 標準包裝:1 APTGT20X60T3G APTGT225A170G APTGT225DA170G APTGT225DU170G APTGT225SK170G APTGT25A120D1G APTGT25A120T1G APTGT25DA120D1G APTGT25H120T1G APTGT25SK120D1G APTGT25X120T3G APTGT300A120D3G APTGT300A120G APTGT300A170D3G APTGT300A170G APTGT300A60D3G APTGT300A60G APTGT300A60TG