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APTGTQ100DDA65T3G

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型號(hào)
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號(hào)
價(jià)格
說(shuō)明
操作

APTGTQ100DDA65T3G
深圳市思諾康科技有限公司
深圳市思諾康科技有限公司
聯(lián)系人：張小姐/Vivianvi
電話：0755-83286481
地址：坂田街道東坡路3號(hào)萬(wàn)致天地商業(yè)中心（A塔）1棟一單元1602
9900
Microchip Technology
Module
23+
-
微芯專營(yíng)優(yōu)勢(shì)產(chǎn)品

1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共40條
1

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APTGTQ100DDA65T3G PDF下載

功能描述
POWER MODULE - IGBT
制造商
microsemi corporation
系列
-
零件狀態(tài)
在售
IGBT 類型
-
配置
雙路升壓斬波器
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
650V
電流 - 集電極（Ic）（最大值）
100A
功率 - 最大值
250W
不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）
2.2V @ 15V，100A
電流 - 集電極截止（最大值）
100μA
不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）
6nF @ 25V
輸入
標(biāo)準(zhǔn)
NTC 熱敏電阻
是
工作溫度
-40°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
底座安裝
封裝/外殼
模塊
供應(yīng)商器件封裝
SP3F
標(biāo)準(zhǔn)包裝
1

APTGTQ100DDA65T3G 技術(shù)參數(shù)

APTGTQ100DA65T1G 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:- 配置:升壓斬波器電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100A 功率 - 最大值:250W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.2V @ 15V，100A 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:6nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:是工作溫度:-40°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:模塊供應(yīng)商器件封裝:SP1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTGTQ100A65T1G 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:- 配置:半橋電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100A 功率 - 最大值:250W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.2V @ 15V，100A 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:6nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:是工作溫度:-40°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:模塊供應(yīng)商器件封裝:SP1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTGT75X60T3G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Three Phase Inverter 600V 100A 250W Chassis Mount SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止配置:三相反相器電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100A 功率 - 最大值:250W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:1.9V @ 15V，75A 電流 - 集電極截止（最大值）:250μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:4.62nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:是安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP3 供應(yīng)商器件封裝:SP3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTGT75TL60T3G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Three Level Inverter 600V 100A 250W Chassis Mount SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止配置:三級(jí)反相器電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100A 功率 - 最大值:250W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:1.9V @ 15V，75A 電流 - 集電極截止（最大值）:250μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:4.62nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:是安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP3 供應(yīng)商器件封裝:SP3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTGT75TDU60PG 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Triple, Dual - Common Source 600V 100A 250W Chassis Mount SP6-P 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止配置:三，雙 - 共源電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100A 功率 - 最大值:250W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:1.9V @ 15V，75A 電流 - 集電極截止（最大值）:250μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:4.62nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP6 供應(yīng)商器件封裝:SP6-P 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTGV15H120T3G APTGV25H120BG APTGV25H120T3G APTGV30H60T3G APTGV50H120BTPG APTGV50H120T3G APTGV50H60BG APTGV50H60T3G APTGV75H60T3G APTH003A0X4-SRZ APTH003A0X-SR APTH003A0X-SRZ APTH006A0X4-SR APTH006A0X4-SRZ APTH006A0X-SR APTH006A0X-SRZ APTH012A0X3-SRZ APTH012A0X43-SRZ

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