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AUIRFR48ZTR

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數(shù)量
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封裝
批號
價格
說明
操作

AUIRFR48ZTR
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
IR
原廠封裝
最新批號
-
代理此型號，原裝正品公司現(xiàn)貨！

AUIRFR48ZTRL
深圳市華芯源電子有限公司
深圳市華芯源電子有限公司
聯(lián)系人：張小姐
電話：1501927513013823545558
地址：深圳市福田區(qū)華強路華強廣場D座16層18B
資質：營業(yè)執(zhí)照
8435
INFINEON/英飛凌
NA
22+
-
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功能描述
MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 11mOhms
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
650 V
閘/源擊穿電壓
25 V
漏極連續(xù)電流
130 A
電阻汲極/源極 RDS（導通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
安裝風格
Through Hole
封裝 / 箱體
Max247
封裝
Tube

AUIRFR48ZTR 技術參數(shù)

AUIRFR48Z 功能描述:MOSFET N-CH 55V 42A DPAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件零件狀態(tài):停產 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:42A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:11 毫歐 @ 37A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 50μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:60nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1720pF @ 25V 功率 - 最大值:91W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:D-Pak 標準包裝:75 AUIRFR4620TRL 功能描述:MOSFET N-CH 200V 24A DPAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:24A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:78 毫歐 @ 15A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:38nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1710pF @ 50V 功率 - 最大值:144W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:D-PAK（TO-252AA）標準包裝:3,000 AUIRFR4620 功能描述:MOSFET N-CH 200V 24A DPAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件零件狀態(tài):停產 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:24A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:78 毫歐 @ 15A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:38nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1710pF @ 50V 功率 - 最大值:144W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:D-PAK（TO-252AA）標準包裝:75 AUIRFR4615TRL 功能描述:MOSFET N-CH 150V 33A DPAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:150V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:33A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:42 毫歐 @ 21A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:26nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1750pF @ 50V 功率 - 最大值:144W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:D-PAK（TO-252AA）標準包裝:3,000 AUIRFR4615 功能描述:MOSFET N-CH 150V 33A DPAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件零件狀態(tài):停產 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:150V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:33A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:42 毫歐 @ 21A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:26nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1750pF @ 50V 功率 - 最大值:144W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:D-PAK（TO-252AA）標準包裝:75 AUIRFR6215 AUIRFR6215TRL AUIRFR8401 AUIRFR8401TRL AUIRFR8403 AUIRFR8403TRL AUIRFR8405 AUIRFR8405TRL AUIRFR9024N AUIRFR9024NTRL AUIRFS3004 AUIRFS3004-7P AUIRFS3004-7TRL AUIRFS3004TRL AUIRFS3006 AUIRFS3006-7P AUIRFS3107 AUIRFS3107-7P