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AUIRFU5305

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供應(yīng)商
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廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

AUIRFU5305
無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司
無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司
聯(lián)系人：張小姐
電話：15961889150
地址：江蘇省無錫市新區(qū)新梅路68號
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
1000
isc/固電半導(dǎo)體
IPAK/TO-251
25+
-
國產(chǎn)品牌，替代進口

1/1頁 40條/頁共3條
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制造商
IRF
制造商全稱
International Rectifier
功能描述
AUTOMOTIVE MOSFET

AUIRFU5305 技術(shù)參數(shù)

AUIRFU4292 功能描述:MOSFET N CH 250V 9.3A IPAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:250V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:9.3A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:345 毫歐 @ 5.6A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 50μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:20nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:705pF @ 25V 功率 - 最大值:100W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA 供應(yīng)商器件封裝:I-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:75 AUIRFU4104 功能描述:MOSFET N-CH 40V 42A IPAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件零件狀態(tài):最後搶購 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:42A（Tc）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:89nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:2950pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:140W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5.5 毫歐 @ 42A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:I-Pak 封裝/外殼:TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 AUIRFU3607 功能描述:MOSFET N CH 75V 56A I-PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件零件狀態(tài):最後搶購 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:75V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:56A（Tc）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:84nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:3070pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:140W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:9 毫歐 @ 46A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:I-Pak 封裝/外殼:TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 AUIRFU1010Z 功能描述:MOSFET N-CH 55V 91A IPAK 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:- FET 功能:- 漏源極電壓（Vdss）:- 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:- 工作溫度:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA 供應(yīng)商器件封裝:TO-262 標(biāo)準(zhǔn)包裝:75 AUIRFSL8409 功能描述:MOSFET N-CH 40V 195A TO-262 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:195A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.2 毫歐 @ 100A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:450nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:14240pF @ 25V 功率 - 最大值:375W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-262-3短引線，I2Pak 供應(yīng)商器件封裝:TO-262 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 AUIRFZ44NS AUIRFZ44VZS AUIRFZ44VZSTRL AUIRFZ44Z AUIRFZ44ZS AUIRFZ44ZSTRL AUIRFZ46NL AUIRFZ48N AUIRFZ48Z AUIRFZ48ZS AUIRG4BC30S-S AUIRG4BC30SSTRL AUIRG4BC30U-S AUIRG4BC30USTRL AUIRG4PC40S-E AUIRG4PH50S AUIRGB4062D1 AUIRGDC0250