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BCR129SE6327HTSA1

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BCR129SE6327HTSA1
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
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電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
INFINEON
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制造商
Infineon Technologies AG
功能描述
TRANSISTOR NPN DGTL AF SOT-363

BCR129SE6327HTSA1 技術參數

BCR129E6327HTSA1 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:上次購買時間晶體管類型:NPN - 預偏壓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）（歐姆）:10k 電阻器 - 發射極基底（R2）（歐姆）:- 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:120 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 500μA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）頻率 - 躍遷:150MHz 功率 - 最大值:200mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:PG-SOT23-3 標準包裝:3,000 BCR119WH6327XTSA1 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:上次購買時間晶體管類型:NPN - 預偏壓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）（歐姆）:4.7k 電阻器 - 發射極基底（R2）（歐姆）:- 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:120 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 500μA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）頻率 - 躍遷:150MHz 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商器件封裝:PG-SOT323-3 標準包裝:3,000 BCR119WE6327HTSA1 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期晶體管類型:NPN - 預偏壓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）（歐姆）:4.7k 電阻器 - 發射極基底（R2）（歐姆）:- 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:120 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 500μA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）頻率 - 躍遷:150MHz 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商器件封裝:PG-SOT323-3 標準包裝:3,000 BCR119SH6433XTMA1 功能描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:上次購買時間晶體管類型:2 個 NPN 預偏壓式（雙）電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）（歐姆）:4.7k 電阻器 - 發射極基底（R2）（歐姆）:- 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:120 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 500μA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:- 頻率 - 躍遷:150MHz 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-VSSOP，SC-88，SOT-363 供應商器件封裝:PG-SOT363-6 標準包裝:10,000 BCR119SH6327XTSA1 功能描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:上次購買時間晶體管類型:2 個 NPN 預偏壓式（雙）電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）（歐姆）:4.7k 電阻器 - 發射極基底（R2）（歐姆）:- 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:120 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 500μA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:- 頻率 - 躍遷:150MHz 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-VSSOP，SC-88，SOT-363 供應商器件封裝:PG-SOT363-6 標準包裝:3,000 BCR12FM-14LB#FA0 BCR12FM-14LJ#BB0 BCR12LM-16LH-1#B00 BCR12PM-12LA#B00 BCR12PM-12LAA8#B00 BCR133E6327HTSA1 BCR133E6393HTSA1 BCR133E6433HTMA1 BCR133SB6327XT BCR133SE6327BTSA1 BCR133SE6433BTMA1 BCR133SH6327XTSA1 BCR133SH6433XTMA1 BCR133WE6327HTSA1 BCR133WH6327XTSA1 BCR135E6327HTSA1 BCR135E6359HTMA1 BCR135E6433HTMA1