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BLS6G2731P-200,117

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功能描述
射頻MOSFET電源晶體管 WBAND 3.1GHz 32V
RoHS
否
制造商
Freescale Semiconductor
配置
Single
晶體管極性
頻率
1800 MHz to 2000 MHz
增益
27 dB
輸出功率
100 W
汲極/源極擊穿電壓
漏極連續電流
閘/源擊穿電壓
最大工作溫度
封裝 / 箱體
NI-780-4
封裝
Tray

BLS6G2731P-200,117 技術參數

BLS6G2731-6G,112 功能描述:RF Mosfet LDMOS 32V 25mA 2.7GHz ~ 3.1GHz 15dB 6W SOT975C 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包裝:托盤零件狀態:在售晶體管類型:LDMOS 頻率:2.7GHz ~ 3.1GHz 增益:15dB 電壓 - 測試:32V 額定電流:3.5A 噪聲系數:- 電流 - 測試:25mA 功率 - 輸出:6W 電壓 - 額定:60V 封裝/外殼:SOT-975C 供應商器件封裝:SOT975C 標準包裝:60 BLS6G2731-120,112 功能描述:TRANS S-BAND PWR LDMOS SOT502A 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包裝:托盤零件狀態:有效晶體管類型:LDMOS 頻率:2.7GHz ~ 3.1GHz 增益:13.5dB 電壓 - 測試:32V 額定電流:33A 噪聲系數:- 電流 - 測試:100mA 功率 - 輸出:120W 電壓 - 額定:60V 封裝/外殼:SOT-502A 供應商器件封裝:LDMOST 標準包裝:20 BLS3135-65,114 功能描述:RF Transistor NPN 75V 8A 3.5GHz 200W Surface Mount CDFM2 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:托盤零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:75V 頻率 - 躍遷:3.5GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:- 增益:7dB 功率 - 最大值:200W 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:40 @ 2A，5V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:8A 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-422A 供應商器件封裝:CDFM2 標準包裝:4 BLS3135-50,114 功能描述:RF Transistor NPN 75V 6A 3.5GHz 80W Surface Mount CDFM2 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:托盤零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:75V 頻率 - 躍遷:3.5GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:- 增益:8dB 功率 - 最大值:80W 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:40 @ 1.5A，5V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:6A 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-422A 供應商器件封裝:CDFM2 標準包裝:4 BLS3135-20,114 功能描述:RF Transistor NPN 75V 2A 3.5GHz 80W Surface Mount CDFM2 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:托盤零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:75V 頻率 - 躍遷:3.5GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:- 增益:8dB 功率 - 最大值:80W 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:40 @ 1.5A，5V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-422A 供應商器件封裝:CDFM2 標準包裝:4 BLS7G2325L-105,112 BLS7G2729L-350P,11 BLS7G2729LS-350P,1 BLS7G2730L-200PU BLS7G2730LS-200PU BLS7G2933S-150,112 BLS7G3135L-350P,11 BLS7G3135LS-200U BLS7G3135LS-350P,1 BLS9G2729L-350U BLS9G2729LS-350U BLS9G2731L-400U BLS9G2731LS-400U BLS9G2735L-50U BLS9G2735LS-50U BLS9G2934L-400U BLS9G2934LS-400U BLS9G3135L-400U