久久99亚洲热视_国产精品麻豆一区二区_国产精品美女久久久久久不卡_欧美一区二区三区爱爱

<tfoot id="8uyyw"></tfoot>

<ul id="8uyyw"></ul>

您好，歡迎來到買賣IC網登錄 | 免費注冊

管理采購發布采購信息

您現在的位置：買賣IC網 > B字母型號搜索 > B字母第1508頁 >

BSC0501NSIATMA1

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

BSC0501NSIATMA1
北京京北通宇電子元件有限公司
北京京北通宇電子元件有限公司
聯系人：洪寶宇
電話：17862669251
地址：北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈505（京北通宇）
資質：營業執照
328774
INFINEON
con
24+
-

BSC0501NSIATMA1
天陽誠業科貿有限公司
天陽誠業科貿有限公司
聯系人：洪寶宇
電話：17862669251
地址：北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503
資質：營業執照
328774
INFINEON
con
24+
-

BSC0501NSIATMA1
北京京北通宇電子元件有限公司
北京京北通宇電子元件有限公司
聯系人：王
電話：18724450645
地址：中國上海
328774
INFINEON
con
24+
-
優勢庫存，原裝正品

BSC0501NSIATMA1
深圳市德力誠信科技有限公司
深圳市德力誠信科技有限公司
聯系人：王小姐
電話：13969210552
地址：上海市靜安區恒豐路568號恒匯國際大廈903室
328774
INFINEON
con
24+
-
現貨常備京北通宇商城可查價格

BSC0501NSIATMA1
深圳市德力誠信科技有限公司
深圳市德力誠信科技有限公司
聯系人：王小姐
電話：13969210552
地址：深圳市福田區深南中路3031號漢國中心3204室
資質：營業執照
328774
INFINEON
con
24+
-
優勢庫存，原裝正品

1/1頁 40條/頁共40條
1

您是不是要找： BSC0502NSIATMA1 BSC0503NSIATMA1 BSC0504NSIATMA1 BSC050N03LS G BSC050N03LSGATMA1 BSC050N03MSGATMA1 BSC050N04LSGATMA1 BSC050NE2LS BSC050NE2LSATMA1

BSC0501NSIATMA1 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

BSC0501NSIATMA1 PDF下載

功能描述
MOSFET N-CH 30V 29A 8TDSON
制造商
infineon technologies
系列
OptiMOS??
包裝
帶卷（TR）
零件狀態
有效
FET 類型
MOSFET N 通道，肖特基，金屬氧化物!
FET 功能
標準
漏源極電壓（Vdss）
30V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
29A（Ta），100A（Tc）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
1.9 毫歐 @ 30A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
2V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）
33nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）
2200pF @ 15V
功率 - 最大值
2.5W
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
8-PowerTDFN
供應商器件封裝
PG-TDSON-8
標準包裝
5,000

BSC0501NSIATMA1 技術參數

BSC0500NSIATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 35A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:35A（Ta），100A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.3 毫歐 @ 30A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:52nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3300pF @ 15V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 標準包裝:5,000 BSC048N025S G 功能描述:MOSFET N-CH 25V 89A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:19A（Ta），89A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4.8 毫歐 @ 50A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 35μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:21nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2670pF @ 15V 功率 - 最大值:63W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 標準包裝:1 BSC047N08NS3GATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 80V 100A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:18A（Ta），100A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4.7 毫歐 @ 50A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 90μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:69nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4800pF @ 40V 功率 - 最大值:125W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 標準包裝:1 BSC046N10NS3GATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 100V 100A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:17A（Ta），100A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4.6 毫歐 @ 50A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 120μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:63nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4500pF @ 50V 功率 - 最大值:156W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8（5.15x6.15）標準包裝:1 BSC046N02KSGAUMA1 功能描述:MOSFET N-CH 20V 80A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:19A（Ta），80A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 110μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:27.6nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:4100pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.8W（Ta），48W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4.6 毫歐 @ 50A，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:PG-TDSON-8 封裝/外殼:8-PowerTDFN 標準包裝:1 BSC052N03LS BSC052N03LSATMA1 BSC052N03S G BSC052N08NS5ATMA1 BSC054N04NSGATMA1 BSC057N03LSGATMA1 BSC057N03MSGATMA1 BSC057N08NS3GATMA1 BSC059N03S G BSC059N03ST BSC059N04LSGATMA1 BSC060N10NS3GATMA1 BSC060P03NS3E G BSC060P03NS3EGATMA1 BSC061N08NS5ATMA1 BSC065N06LS5ATMA1 BSC066N06NSATMA1 BSC067N06LS3GATMA1