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BSC0923NDIATMA1

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BSC0923NDIATMA1
北京京北通宇電子元件有限公司
北京京北通宇電子元件有限公司
聯系人：洪寶宇
電話：17862669251
地址：北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈505（京北通宇）
資質：營業執照
328770
INFINEON
con
24+
-

BSC0923NDIATMA1
天陽誠業科貿有限公司
天陽誠業科貿有限公司
聯系人：洪寶宇
電話：17862669251
地址：北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503
資質：營業執照
328770
INFINEON
con
24+
-

BSC0923NDIATMA1
北京京北通宇電子元件有限公司
北京京北通宇電子元件有限公司
聯系人：王
電話：18724450645
地址：中國上海
328770
INFINEON
con
24+
-
優勢庫存，原裝正品

BSC0923NDIATMA1
深圳市德力誠信科技有限公司
深圳市德力誠信科技有限公司
聯系人：王小姐
電話：13969210552
地址：上海市靜安區恒豐路568號恒匯國際大廈903室
328770
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con
24+
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現貨常備京北通宇商城可查價格

BSC0923NDIATMA1
深圳市德力誠信科技有限公司
深圳市德力誠信科技有限公司
聯系人：王小姐
電話：13969210552
地址：深圳市福田區深南中路3031號漢國中心3204室
資質：營業執照
328770
INFINEON
con
24+
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優勢庫存，原裝正品

BSC0923NDIATMA1
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
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最新批號
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一級代理.原裝特價現貨！

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制造商
Infineon Technologies AG
功能描述
BSC0923NDIXT
制造商
Infineon Technologies AG
功能描述
LV POWER MOS - Tape and Reel

BSC0923NDIATMA1 技術參數

BSC0921NDIATMA1 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 17A/31A TISON8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:2 N 溝道（雙）非對稱型 FET 功能:邏輯電平柵極，4.5V 驅動漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:17A， 31A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:8.9nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1025pF @ 15V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TISON-8 標準包裝:1 BSC0911NDATMA1 功能描述:MOSFET 2N-CH 25V 18A/30A TISON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:2 N 溝道（雙）非對稱型 FET 功能:邏輯電平柵極，4.5V 驅動漏源極電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:18A，30A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.2 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:12nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1600pF @ 12V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TISON-8 標準包裝:1 BSC0910NDIATMA1 功能描述:MOSFET 2N-CH 25V 16A/31A TISON8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效 FET 類型:2 N 溝道（雙）非對稱型 FET 功能:邏輯電平柵極，4.5V 驅動漏源極電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:11A， 31A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4.6 毫歐 @ 25A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:6.6nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4500pF @ 12V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TISON-8 標準包裝:5,000 BSC090N03MSGATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 48A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:12A（Ta），48A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:9 毫歐 @ 30A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:24nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1900pF @ 15V 功率 - 最大值:32W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 標準包裝:1 BSC090N03LSGATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 48A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:13A（Ta），48A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:9 毫歐 @ 30A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:18nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1500pF @ 15V 功率 - 最大值:32W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 標準包裝:1 BSC0993NDATMA1 BSC0996NSATMA1 BSC100N03LSGATMA1 BSC100N03MSGATMA1 BSC100N06LS3GATMA1 BSC100N10NSFGATMA1 BSC105N10LSFGATMA1 BSC106N025S G BSC109N10NS3GATMA1 BSC110N06NS3GATMA1 BSC110N15NS5ATMA1 BSC117N08NS5ATMA1 BSC118N10NSGATMA1 BSC119N03S G BSC120N03LSGATMA1 BSC120N03MSGATMA1 BSC123N08NS3GATMA1 BSC123N10LSGATMA1