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BSC750N10ND G

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

BSC750N10ND G
深圳市華芯源電子有限公司
深圳市華芯源電子有限公司
聯系人：張小姐
電話：1501927513013823545558
地址：深圳市福田區華強路華強廣場D座16層18B
資質：營業執照
16079
INFINEON/英飛凌
SUPERSO8
22+
-

BSC750N10ND G
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室
資質：營業執照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
原裝正品進口現貨電話010-62104...

BSC750N10ND G
深圳市歐和寧電子有限公司
深圳市歐和寧電子有限公司
聯系人：李先生
電話：0755-292759351581559886118576729816
地址：廣東省深圳市福田區華強北賽格科技園6C18室
69800
INFINEON
近兩年生產
8-PowerVDF
-
每一片都來自原廠

BSC750N10ND G
深圳市億聯芯電子科技有限公司
深圳市億聯芯電子科技有限公司
聯系人：吳經理
電話：18138401919
地址：深圳市福田區賽格科技園四棟中6樓6K31
69880
INFINEON/英飛凌
TDSON-8
2021+
-
★★正規渠道★原廠正品最新貨源現貨供應★...

BSC750N10ND G
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
17090
INFINEON
1521+
-
全新原裝現貨

BSC750N10ND G
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：何芝
電話：19129491934(手機優先微信同號)0755-82865099
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
3500
Infineon
SO8
13+
-
Infineon一級代理，價優

BSC750N10ND G
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
INFINEON
原廠封裝
最新批號
-
一級代理.原裝特價現貨！

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1

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BSC750N10ND G PDF下載

功能描述
MOSFET OptiMOS 2 PWR-Trans 100V 13A
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
650 V
閘/源擊穿電壓
25 V
漏極連續電流
130 A
電阻汲極/源極 RDS（導通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
安裝風格
Through Hole
封裝 / 箱體
Max247
封裝
Tube

BSC750N10ND G 技術參數

BSC670N25NSFDATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 250V 24A 8TDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:250V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:24A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 90μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:30nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:2410pF @ 125V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:150W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:67 毫歐 @ 24A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:PG-TDSON-8 封裝/外殼:8-PowerTDFN 標準包裝:1 BSC600N25NS3GATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 250V 25A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:250V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:25A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 90μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:29nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:2350pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:125W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:60 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:PG-TDSON-8 封裝/外殼:8-PowerTDFN 標準包裝:1 BSC600N25NS3 G 功能描述:MOSFET N-CH 250V 25A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:250V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:25A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:60 毫歐 @ 25A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 90μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:29nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2350pF @ 100V 功率 - 最大值:125W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 標準包裝:1 BSC520N15NS3GATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 150V 21A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:150V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:21A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:52 毫歐 @ 18A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 35μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:12nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:890pF @ 75V 功率 - 最大值:57W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 標準包裝:1 BSC500N20NS3GATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 200V 24A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:24A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:50 mOhm @ 22A、 10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 60μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1580pF @ 100V 功率 - 最大值:96W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8（5.15x6.15）標準包裝:1 BSC900N20NS3 G BSC900N20NS3GATMA1 BSC9131NJE7HHHB BSC9131NJN1HHHB BSC9131NJN7HHHB BSC9131NLE7HHHB BSC9131NLN1HHHB BSC9131NSE7KHKB BSC9131NSN1KHKB BSC9131NSN7KHKB BSC9131NXE7KHKB BSC9131NXN1KHKB BSC9131NXN7KHKB BSC9132NSE7KNKB BSC9132NSE7MNMB BSC9132NSN7KNKB BSC9132NSN7MNMB BSC9132NXE7KNKB