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BSD314SPEL6327HTSA1

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BSD314SPEL6327HTSA1
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
INFINEON
原廠封裝
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BSD314SPEL6327HTSA1 PDF下載

制造商
Infineon Technologies AG
功能描述
Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A 6-Pin SOT-363 T/R
制造商
Infineon Technologies AG
功能描述
P-KANAL - Tape and Reel
制造商
Infineon Technologies AG
功能描述
MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT363

BSD314SPEL6327HTSA1 技術(shù)參數(shù)

BSD314SPEH6327XTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT363 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4.5V 驅(qū)動漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:1.5A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:140 毫歐 @ 1.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 6.3μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:2.9nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:294pF @ 15V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT363-6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 BSD235NH6327XTSA1 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:950mA 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:350 毫歐 @ 950mA，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 1.6μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:0.32nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:63pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-VSSOP，SC-88，SOT-363 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT363-6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSD235N L6327 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:950mA 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:350 毫歐 @ 950mA，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 1.6μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:0.32nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:63pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-VSSOP，SC-88，SOT-363 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT363-6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSD235CH6327XTSA1 功能描述:MOSFET N/P-CH 20V SOT363 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:950mA，530mA 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:350 毫歐 @ 950mA，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 1.6μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:0.34nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:47pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-VSSOP，SC-88，SOT-363 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT363-6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSD235C L6327 功能描述:MOSFET N/P-CH 20V SOT-363 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:950mA，530mA 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:350 毫歐 @ 950mA，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 1.6μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:0.34nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:47pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-VSSOP，SC-88，SOT-363 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT363-6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSE-020-01-C-D-A-TR BSE-020-01-C-D-LC BSE-020-01-F-D BSE-020-01-F-D-A BSE-020-01-F-D-A-FL BSE-020-01-F-D-A-FL-TR BSE-020-01-F-D-A-K-TR BSE-020-01-F-D-A-TR BSE-020-01-F-D-EM2 BSE-020-01-F-D-EM2-GP BSE-020-01-H-D BSE-020-01-H-D-A BSE-020-01-H-D-A-TR BSE-020-01-H-D-EM2 BSE-020-01-L-D BSE-020-01-L-D-A BSE-020-01-L-D-A-FL BSE-020-01-L-D-A-FL-TR