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BSP123L6327HTSA1

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BSP123L6327HTSA1
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
INFINEON
原廠封裝
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制造商
Infineon Technologies AG
功能描述
Trans MOSFET N-CH 100V 0.37A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
制造商
Infineon Technologies AG
功能描述
N-KANAL SMALL SIGNAL MOS - Tape and Reel
制造商
Infineon Technologies AG
功能描述
MOSFET N-CH 100V 370MA SOT223
制造商
Infineon Technologies AG
功能描述
MOSFET N-CH 100V 370MA SOT-223

BSP123L6327HTSA1 技術(shù)參數(shù)

BSP123E6327T 功能描述:MOSFET N-CH 100V 370MA SOT223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:370mA（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:6 歐姆 @ 370mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.8V @ 50μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:2.4nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:70pF @ 25V 功率 - 最大值:1.79W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT223-4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSP122,115 功能描述:MOSFET N-CH 200V 0.55A SOT223 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:550mA（Ta）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.4V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:100pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.5W（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2.5 歐姆 @ 750mA，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:SOT-223 封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSP110,115 功能描述:MOSFET N-CH 100V 520MA SOT223 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:520mA（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:10 歐姆 @ 150mA，5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:40pF @ 10V 功率 - 最大值:6.25W 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:SC-73 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSP100,135 功能描述:MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT223 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:3.2A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:100 毫歐 @ 2.2A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.8V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:6nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:250pF @ 20V 功率 - 最大值:8.3W 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:SC-73 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSP030,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V 10A SOT223 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:10A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:30 毫歐 @ 5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.8V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:40nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:770pF @ 24V 功率 - 最大值:8.3W 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:SC-73 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSP129E6327T BSP129H6327XTSA1 BSP129H6906XTSA1 BSP129L6327HTSA1 BSP129L6906HTSA1 BSP130,115 BSP135 E6327 BSP135 E6906 BSP135H6327XTSA1 BSP135H6433XTMA1 BSP135H6906XTSA1 BSP135L6327HTSA1 BSP135L6433HTMA1 BSP135L6906HTSA1 BSP14-3K BSP149 E6327 BSP149 E6906 BSP149H6327XTSA1

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