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CPC3960ZTR

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數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

CPC3960ZTR
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室
資質：營業執照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
百分百原裝正品假一賠十電話010-62...

CPC3960ZTR
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
3180
IXYS INTE
DIGI-REEL?
1521+
-
全新原裝現貨

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功能描述
MOSFET N-CH 600V SOT-223
制造商
ixys integrated circuits division
系列
-
包裝
剪切帶（CT）
零件狀態
有效
FET 類型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能
耗盡模式
漏源極電壓（Vdss）
600V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
-
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
44 歐姆 @ 100mA， 0V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
-
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）
-
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）
100pF @ 25V
功率 - 最大值
1.8W
工作溫度
-55°C ~ 125°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-261-4，TO-261AA
供應商器件封裝
SOT-223
標準包裝
1

CPC3960ZTR 技術參數

CPC3909ZTR 功能描述:MOSFET N-CH 400V SOT-223 制造商:ixys integrated circuits division 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:耗盡模式漏源極電壓（Vdss）:400V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:300mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:9 歐姆 @ 300mA， 0V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-40°C ~ 110°C（TA）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應商器件封裝:SOT-223 標準包裝:1 CPC3909CTR 功能描述:MOSFET N-CH 400V SOT-89 制造商:ixys integrated circuits division 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:耗盡模式漏源極電壓（Vdss）:400V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:300mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:9 歐姆 @ 300mA， 0V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:1.1W 工作溫度:-40°C ~ 110°C（TA）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:SOT-89 標準包裝:1 CPC3902ZTR 功能描述:MOSFET N-CH 250V SOT-223 制造商:ixys integrated circuits division 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:250V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:- 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:0V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- Vgs（最大值）:±15V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:230pF @ 20V FET 功能:耗盡模式功率耗散（最大值）:1.8W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.5 歐姆 @ 300mA， 0V 工作溫度:-55°C ~ 110°C（TA）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:SOT-223 封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 標準包裝:1 CPC3902CTR 功能描述:MOSFET N-CH 250V TO-243AA 制造商:ixys integrated circuits division 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:250V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:- 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:0V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- Vgs（最大值）:±15V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:230pF @ 20V FET 功能:耗盡模式功率耗散（最大值）:1.8W（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.5 歐姆 @ 300mA， 0V 工作溫度:125°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:SOT-89 封裝/外殼:TO-243AA 標準包裝:1,000 CPC3730C 功能描述:MOSFET N-CH 350V SOT89 制造商:ixys integrated circuits division 系列:- 包裝:管件零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:耗盡模式漏源極電壓（Vdss）:350V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:35 歐姆 @ 140mA，0V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:200pF @ 25V 功率 - 最大值:1.6W 工作溫度:-55°C ~ 125°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:SOT-89 標準包裝:200 CPC5002GSTR CPC5601D CPC5602CTR CPC5603CTR CPC5604A CPC5604ATR CPC5608N CPC5608NTR CPC5610A CPC5610ATR CPC5611A CPC5611ATR CPC5620A CPC5620ATR CPC5621A CPC5621ATR CPC5621-EVAL-CDL CPC5621-EVAL-RDL