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CSD25304W1015

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • CSD25304W1015T
    CSD25304W1015T

    CSD25304W1015T

  • 深圳市海天鴻電子科技有限公司
    深圳市海天鴻電子科技有限公司

    聯(lián)系人：彭小姐、劉先生、李小姐

    電話：0755-82552857-80913528851884（周日專線）

    地址：深圳市福田區(qū)中航路中航北苑大廈A座22A3號

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 7500

  • TI

  • 原廠原裝

  • 1708+

  • -

  • 只做原裝 一手貨源，代理商分銷庫存

  • CSD25304W1015
    CSD25304W1015

    CSD25304W1015

  • 北京首天偉業(yè)科技有限公司
    北京首天偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址： 廣東省深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道電子科技大廈C座23E

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • Texas Instruments

  • 標(biāo)準(zhǔn)封裝

  • 15+

  • -

  • 百分百原裝假一罰十

  • CSD25304W1015T
    CSD25304W1015T

    CSD25304W1015T

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 0

  • 原廠封裝

  • 10000

  • 16+/17+

  • -

  • 百分百原裝正品假一賠十 電話010-62...

  • CSD25304W1015
    CSD25304W1015

    CSD25304W1015

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人：雷春艷

    電話：19129493934（手機(jī)優(yōu)先微信同號）0755-83266697

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 16940

  • TEXAS INS

  • 剪切帶（CT

  • 1521+

  • -

  • 全新原裝現(xiàn)貨

  • CSD25304W1015T
    CSD25304W1015T

    CSD25304W1015T

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • 50

  • 原廠封裝

  • 最新批號

  • -

  • 一級代理.原裝特價現(xiàn)貨！

  • 1/1頁 40條/頁 共18條 
  • 1
CSD25304W1015 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA
  • 制造商
  • texas instruments
  • 系列
  • NexFET??
  • 包裝
  • 剪切帶（CT）
  • 零件狀態(tài)
  • 有效
  • FET 類型
  • MOSFET P 通道，金屬氧化物
  • FET 功能
  • 標(biāo)準(zhǔn)
  • 漏源極電壓（Vdss）
  • 20V
  • 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）
  • 3A（Ta）
  • 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
  • 32.5 毫歐 @ 1.5A，4.5V
  • 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
  • 1.15V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）
  • 4.4nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）
  • 595pF @ 10V
  • 功率 - 最大值
  • 750mW
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • 6-UFBGA，DSBGA
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • 6-DSBGA
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 1
CSD25304W1015 技術(shù)參數(shù)
  • CSD25303W1015 功能描述:MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:3A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:58 毫歐 @ 1.5A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:4.3nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:435pF @ 10V 功率 - 最大值:1.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-UFBGA，DSBGA 供應(yīng)商器件封裝:6-DSBGA（1x1.5） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD25302Q2 功能描述:MOSFET P-CH 20V 5A 6SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:5A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:49 毫歐 @ 3A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:3.4nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:350pF @ 10V 功率 - 最大值:2.4W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-SMD，扁平引線 供應(yīng)商器件封裝:6-SON 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD25301W1015 功能描述:MOSFET P-CH 20V 2.2A 6DSBGA 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:2.2A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:75 毫歐 @ 1A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:2.5nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:270pF @ 10V 功率 - 最大值:1.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-UFBGA，DSBGA 供應(yīng)商器件封裝:6-DSBGA（1x1.5） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD25213W10 功能描述:MOSFET P-CH 20V 1.6A 4DSBGA 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:1.6A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:47 毫歐 @ 1A、 4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:2.9nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:478pF @ 10V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-UFBGA，DSBGA 供應(yīng)商器件封裝:4-DSBGA（1x1） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD25211W1015 功能描述:MOSFET P-CH 20V 3.2A 6DSBGA 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:3.2A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:33 毫歐 @ 1.5A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:4.1nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:570pF @ 10V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-UFBGA，DSBGA 供應(yīng)商器件封裝:6-DSBGA（1x1.5） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD25481F4T CSD25483F4 CSD25483F4T CSD25484F4 CSD25484F4T CSD25485F5 CSD25485F5T CSD25501F3 CSD25501F3T CSD2-6832FL/39-25-5B CSD2-7152FL/39-25-5B CSD30208 CSD302410 CSD302412 CSD30248 CSD30308 CSD3080H CSD3120H
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