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CY62157DV33LL-70BVI

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CY62157DV33LL-70BVI 技術參數

CY62157DV30LL-55ZSXI 功能描述:IC SRAM 512KX16 LP 44-TSOP RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:MoBL® 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行存儲器類型:EEPROM 存儲容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口電源電壓:2.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬）供應商設備封裝:8-MFP 包裝:帶卷 (TR) CY62157DV30LL-55BVXI 功能描述:IC SRAM 8MBIT 55NS 48VFBGA RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:MoBL® 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:移動 SDRAM 存儲容量:256M（8Mx32）速度:133MHz 接口:并聯電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應商設備封裝:90-VFBGA（8x13）包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:557-1327-2 CY62157DV30LL-55BVXAT 功能描述:靜態隨機存取存儲器 SLO 3.0V SUPER LO PWR 512KX16 靜態隨機存取存儲器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY62157DV30LL-55BVXA 功能描述:靜態隨機存取存儲器 SLO 3.0V SUPER LO PWR 512KX16 靜態隨機存取存儲器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY62157DV30L-55ZSXET 功能描述:靜態隨機存取存儲器 SLO 3.0V SUPER LO PWR 512KX16 靜態隨機存取存儲器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY62157EV18LL-45BVXIT CY62157EV18LL-55BVXI CY62157EV18LL-55BVXIT CY62157EV30LL-45BVI CY62157EV30LL-45BVIT CY62157EV30LL-45BVXA CY62157EV30LL-45BVXAT CY62157EV30LL-45BVXI CY62157EV30LL-45BVXIT CY62157EV30LL-45ZSXA CY62157EV30LL-45ZSXAT CY62157EV30LL-45ZSXI CY62157EV30LL-45ZSXIT CY62157EV30LL-45ZXA CY62157EV30LL-45ZXAT CY62157EV30LL-45ZXI CY62157EV30LL-45ZXIT CY62157EV30LL-55ZSXE