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CY7C1214F-100ACT

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制造商
Cypress Semiconductor
功能描述

CY7C1214F-100ACT 技術參數(shù)

CY7C1170V18-400BZXC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 18M DDRII+, B2, 2.5 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY7C1170V18-400BZC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 18M DDRII+, B2, 2.5 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY7C1170KV18-550BZC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 18MB (512Kx36) 1.8v 550MHz DDR II 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY7C1170KV18-450BZXC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 18MB (512Kx36) 1.8v 450MHz DDR II 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY7C1170KV18-400BZXC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 18MB (512Kx36) 1.8v 400MHz DDR II 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY7C12481KV18-400BZC CY7C12481KV18-400BZXC CY7C1248KV18-400BZC CY7C1248KV18-400BZXC CY7C1248KV18-450BZXC CY7C12501KV18-400BZC CY7C12501KV18-400BZXC CY7C12501KV18-450BZXC CY7C1250KV18-400BZC CY7C1250KV18-400BZI CY7C1250KV18-400BZXC CY7C1250KV18-450BZXC CY7C1250V18-333BZC CY7C1250V18-333BZXC CY7C1262XV18-366BZXC CY7C1262XV18-450BZXC CY7C12631KV18-400BZI CY7C1263KV18-400BZC