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品牌:NEC | 型號:TEPSLC0J157MH12R | 介質材料:陶瓷(瓷介) | 應用范圍:旁路 | 外形:方塊狀 | 功率特性:中功率 | 頻率特性:中頻 | 調節方式:固定 | 引線類型:軸向引出線 | 允許偏差:±0.1（%） | 耐壓值:6.3（V） | 等效串聯電阻(ESR):stand（mΩ） | 標稱容量:150（uF） | 損耗:stand | 絕緣電阻:stand（mΩ） | 溫度系數:stand

品牌:NEC | 型號:TEESVA0J226M8R | 介質材料:陶瓷(瓷介) | 應用范圍:旁路 | 外形:方塊狀 | 功率特性:中功率 | 頻率特性:中頻 | 調節方式:固定 | 引線類型:軸向引出線 | 允許偏差:±0.1（%） | 耐壓值:6.3（V） | 等效串聯電阻(ESR):stand（mΩ） | 標稱容量:22（uF） | 損耗:stand | 絕緣電阻:stand（mΩ） | 溫度系數:stand

品牌:NEC | 型號:TEESVP1A106M8R | 介質材料:陶瓷(瓷介) | 應用范圍:旁路 | 外形:方塊狀 | 功率特性:中功率 | 頻率特性:中頻 | 調節方式:固定 | 引線類型:軸向引出線 | 允許偏差:±0.1（%） | 耐壓值:10（V） | 等效串聯電阻(ESR):stand（mΩ） | 標稱容量:10（uF） | 損耗:stand | 絕緣電阻:stand（mΩ） | 溫度系數:stand

類型:其他IC | 品牌:NEC | 型號:TEPSLD1A107M(55)12R | 封裝:SMD | 批號:13+

類型:其他IC | 品牌:NEC | 型號:TEPSLB20J157M(45)8R | 封裝:SMD | 批號:13+

牌號:ta1 | 產地:湖南株洲 | 鉭含量≥:88（%） | 雜質含量:0.01（%） | 重量:30（kg/塊）

品牌:NEC/日本電氣 | 型號:47UF 25V E | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:NEC/日本電氣 | 型號:680UF 2.5V E | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:NEC/日本電氣 | 型號:68UF 10V B | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:NEC/日本電氣 | 型號:330UF 4V C | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

類型:存儲器 | 品牌:A | 型號:6032 | 封裝:DIP

類型:單片機 | 品牌:A | 型號:A | 封裝:DIP

類型:仿真器 | 品牌:A | 型號:3528 | 封裝:DIP

品牌:NEC/日本電氣 | 型號:2SC3917 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:NEC/日本電氣 | 型號:2SC3940ASA | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:NEC/日本電氣 | 型號:2SC3757 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:NEC/日本電氣 | 型號:2SC3661 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:NEC/日本電氣 | 型號:2SC1843 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:NEC/日本電氣 | 型號:2SC3650 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:NEC/日本電氣 | 型號:2SC3622 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道