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EPC2108ENGRT

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價格
說明
操作

EPC2108ENGRT
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室
資質：營業執照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
原裝正品進口現貨電話010-62104...

EPC2108ENGRT
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
20000
EPC
帶卷（TR）
1521+
-
全新原裝現貨

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1

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功能描述
TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE
制造商
epc
系列
eGaN?
包裝
剪切帶（CT）
零件狀態
有效
FET 類型
3 N 溝道（半橋 + 同步自舉）
FET 功能
GaNFET（氮化鎵）
漏源極電壓（Vdss）
60V，100V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
1.7A，500mA
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
190 毫歐 @ 2.5A，5V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 200μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）
0.22nC @ 5V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）
22pF @ 30V
功率 - 最大值
-
工作溫度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
模具
供應商器件封裝
模具
標準包裝
1

EPC2108ENGRT 技術參數

EPC2108 功能描述:MOSFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:3 N 溝道（半橋 + 同步自舉） FET 功能:GaNFET（氮化鎵）漏源電壓（Vdss）:60V，100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:1.7A，500mA 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:190 毫歐 @ 2.5A, 5V, 3.3 歐姆 @ 2.5A, 5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 100μA，2.5V @ 20μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:22pF @ 30V, 7pF @ 30V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:9-VFBGA 供應商器件封裝:9-BGA (1.35x1.35) 標準包裝:1 EPC2107ENGRT 功能描述:TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:3 N 溝道（半橋 + 同步自舉） FET 功能:GaNFET（氮化鎵）漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:1.7A，500mA 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:320 毫歐 @ 2A，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:0.16nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:16pF @ 50V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:模具供應商器件封裝:模具標準包裝:1 EPC2107 功能描述:MOSFET 3 N-CH 100V 9BGA 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:3 N 溝道（半橋 + 同步自舉） FET 功能:GaNFET（氮化鎵）漏源電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:1.7A，500mA 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:320 毫歐 @ 2A, 5V, 3.3 歐姆 @ 2A, 5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 100μA，2.5V @ 20μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:16pF @ 50V, 7pF @ 50V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:9-VFBGA 供應商器件封裝:9-BGA (1.35x1.35) 標準包裝:1 EPC2106ENGRT 功能描述:TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:2 個 N 通道（半橋） FET 功能:GaNFET（氮化鎵）漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:1.7A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:70 毫歐 @ 2A，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 600μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:0.73nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:75pF @ 50V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:模具供應商器件封裝:模具標準包裝:1 EPC2106 功能描述:TRANS GAN SYM 100V BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 零件狀態:在售 FET 類型:2 個 N 通道（半橋） FET 功能:GaNFET（氮化鎵）漏源電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:1.7A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:70 毫歐 @ 2A，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 600μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:0.73nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:75pF @ 50V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:模具供應商器件封裝:模具標準包裝:1 EPC2LI20 EPC2LI20N EPC2TC32 EPC2TC32N EPC2TI32 EPC2TI32N EPC4QC100 EPC4QC100N EPC4QI100 EPC4QI100N EPC8002 EPC8002ENGR EPC8003ENGR EPC8004 EPC8004ENGR EPC8005ENGR EPC8007ENGR EPC8008ENGR