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ES1JLW RVG

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ES1JLW RVG 技術參數

ES1GTR 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 1A SMA 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.3V @ 1A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:35ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 400V 不同?Vr，F 時的電容:45pF @ 4V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-214AC，SMA 供應商器件封裝:SMA（DO-214AC）工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:1 ES1GRX 功能描述:ES1GR SOD123 SOD2 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 零件狀態:在售二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.25V @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:25ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:400nA @ 400V 不同?Vr，F 時的電容:14pF @ 4V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOD-123W 供應商器件封裝:SOD-123W 工作溫度 - 結:150°C（最大）標準包裝:1 ES1DVRX 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123W 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:875mV @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:25ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:200nA @ 200V 不同?Vr，F 時的電容:20pF @ 4V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOD-123W 供應商器件封裝:SOD-123W 工作溫度 - 結:150°C（最大）標準包裝:1 ES1DTR 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 1A SMA 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:950mV @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:35ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 200V 不同?Vr，F 時的電容:45pF @ 4V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-214AC，SMA 供應商器件封裝:SMA（DO-214AC）工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:1 ES1DRX 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123W 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:930mV @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:25ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:200nA @ 200V 不同?Vr，F 時的電容:17pF @ 4V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOD-123W 供應商器件封裝:SOD123W 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:1 ES1LG M2G ES1LG R3G ES1LGHM2G ES1LGHR3G ES1LJ M2G ES1LJ R3G ES1LJHM2G ES1LJHR3G ES1-LP10 ES1-LP10-N ES1-LP10-N-P ES1-LP3 ES1-LP3-N ES1-LP3-N-P ES1-LW100H ES1-LW100-N ES1-LW100-N-P ES1-LW50