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GP1M003A080H

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GP1M003A080H 技術參數

GP1M003A080FH 功能描述:MOSFET N-CH 800V 3A TO220F 制造商:global power technologies group 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:3A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4.2 歐姆 @ 1.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:19nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:696pF @ 25V 功率 - 最大值:32W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應商器件封裝:TO-220F 標準包裝:1 GP1M003A080CH 功能描述:MOSFET N-CH 800V 3A DPAK 制造商:global power technologies group 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:停產 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:3A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4.2 歐姆 @ 1.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:19nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:696pF @ 25V 功率 - 最大值:94W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:TO-252，（D-Pak）標準包裝:1 GP1M003A050FG 功能描述:MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220F 制造商:global power technologies group 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:2.5A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.8 歐姆 @ 1.25A， 10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:9nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:395pF @ 25V 功率 - 最大值:17.3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應商器件封裝:TO-220F 標準包裝:1 GP1L57 功能描述:PHOTOINTERRUPTER SLOT 10MM PCB 制造商:sharp microelectronics 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期感應距離:0.394"（10mm）感應方法:可傳導的輸出配置:光電達林頓管電流 - DC 正向（If）:50mA 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:40mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:35V 響應時間:130μs，100μs 工作溫度:-25°C ~ 85°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:PCB 安裝類型:無放大標準包裝:50 GP1L53V 功能描述:PHOTOINTERRUPTER SLOT 5.0MM PCB 制造商:sharp microelectronics 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期感應距離:0.197"（5mm）感應方法:可傳導的輸出配置:光電達林頓管電流 - DC 正向（If）:50mA 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:40mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:35V 響應時間:80μs，70μs 工作溫度:-25°C ~ 85°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:PCB 安裝類型:無放大標準包裝:50 GP1M005A050FSH GP1M005A050H GP1M005A050HS GP1M005A050PH GP1M006A065CH GP1M006A065F GP1M006A065FH GP1M006A065PH GP1M006A070F GP1M006A070FH GP1M007A065CG GP1M007A090FH GP1M007A090H GP1M008A025CG GP1M008A025FG GP1M008A025HG GP1M008A025PG GP1M008A050CG