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IRGP4650D-EPBF

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    �(yōu)�(shì)
  • 深圳市深科創(chuàng)科技有限公司
    深圳市深科創(chuàng)科技有限公司

    �(lián)系人�吳先�/吳小�/朱先�

    電話�0755-832472900755-828652018324751083223957

    地址�深圳市福田區(qū)航都大廈17F1可提�13%增值稅�(fā)�

  • 5000

  • IR

  • TO-247

  • 2016+

  • -
  • 只做原裝正品假一罰十 可開(kāi)增值稅�(fā)�

  • IRGP4650D-EPBF
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  • 北京京北通宇電子元件有限公司
    北京京北通宇電子元件有限公司

    �(lián)系人�

    電話�18724450645

    地址�中國(guó)上海

  • 327572

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  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

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    電話�010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址�北京市海淀區(qū)中關(guān)村大�32�(hào)和盛嘉業(yè)大廈10�1009�

    資質(zhì)��(yíng)�(yè)�(zhí)�

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  • 深圳市德力誠(chéng)信科技有限公司
    深圳市德力誠(chéng)信科技有限公司

    �(lián)系人�王小�

    電話�13969210552

    地址�上海市靜安區(qū)恒豐�568�(hào)恒匯�(guó)際大�903�

  • 327572

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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    �(lián)系人�唐先�

    電話�0755-8322569219129381337(微信同�(hào)�

    地址�廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201�316室�

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IRGP4650D-EPBF PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • IGBT 晶體� 600V UltraFast IGBT 50A 268W 104nC
  • RoHS
  • 制造商
  • Fairchild Semiconductor
  • 配置
  • 集電極—發(fā)射極最大電� VCEO
  • 650 V
  • 集電極—射極飽和電�
  • 2.3 V
  • 柵極/�(fā)射極最大電�
  • 20 V
  • �25 C的連續(xù)集電極電�
  • 150 A
  • 柵極—射極漏泄電�
  • 400 nA
  • 功率耗散
  • 187 W
  • 最大工作溫�
  • 封裝 / 箱體
  • TO-247
  • 封裝
  • Tube
IRGP4650D-EPBF 技�(shù)參數(shù)
  • IRFP460 功能描述:MOSFET N-CH 500V 18.4A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH? II 包裝:管件 零件狀�(tài):�(guò)� FET �(lèi)�:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:�(biāo)�(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss�:500V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C �(shí)�:18.4A(Tc� 不同?Id,Vgs �(shí)�?Rds On(最大值):270 毫歐 @ 9A�10V 不同 Id �(shí)� Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs �(shí)的柵極電荷(Qg�:128nC @ 10V 不同 Vds �(shí)的輸入電容(Ciss�:2980pF @ 25V 功率 - 最大�:220W 工作溫度:150°C(TJ� 安裝�(lèi)�:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封�:TO-247-3 �(biāo)�(zhǔn)包裝:30 IRFP450 功能描述:MOSFET N-CH 500V 14A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH? II 包裝:管件 零件狀�(tài):�(guò)� FET �(lèi)�:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:�(biāo)�(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss�:500V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C �(shí)�:14A(Tc� 不同?Id,Vgs �(shí)�?Rds On(最大值):380 毫歐 @ 7A�10V 不同 Id �(shí)� Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs �(shí)的柵極電荷(Qg�:90nC @ 10V 不同 Vds �(shí)的輸入電容(Ciss�:2000pF @ 25V 功率 - 最大�:190W 工作溫度:150°C(TJ� 安裝�(lèi)�:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封�:TO-247-3 �(biāo)�(zhǔn)包裝:30 IRFP250 功能描述:MOSFET N-CH 200V 33A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH? II 包裝:管件 零件狀�(tài):�(guò)� FET �(lèi)�:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:�(biāo)�(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss�:200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C �(shí)�:33A(Tc� 不同?Id,Vgs �(shí)�?Rds On(最大值):85 毫歐 @ 16A�10V 不同 Id �(shí)� Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs �(shí)的柵極電荷(Qg�:158nC @ 10V 不同 Vds �(shí)的輸入電容(Ciss�:2850pF @ 25V 功率 - 最大�:180W 工作溫度:150°C(TJ� 安裝�(lèi)�:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封�:TO-247-3 �(biāo)�(zhǔn)包裝:30 IRF840 功能描述:MOSFET N-CH 500V 8A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH? II 包裝:管件 零件狀�(tài):�(guò)� FET �(lèi)�:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:�(biāo)�(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss�:500V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C �(shí)�:8A(Tc� 不同?Id,Vgs �(shí)�?Rds On(最大值):850 毫歐 @ 3.5A�10V 不同 Id �(shí)� Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs �(shí)的柵極電荷(Qg�:39nC @ 10V 不同 Vds �(shí)的輸入電容(Ciss�:832pF @ 25V 功率 - 最大�:125W 工作溫度:150°C(TJ� 安裝�(lèi)�:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封�:TO-220AB �(biāo)�(zhǔn)包裝:50 IRF830 功能描述:MOSFET N-CH 500V 4.5A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:管件 零件狀�(tài):�(guò)� FET �(lèi)�:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:�(biāo)�(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss�:500V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C �(shí)�:4.5A(Tc� 不同?Id,Vgs �(shí)�?Rds On(最大值):1.5 歐姆 @ 2.7A�10V 不同 Id �(shí)� Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs �(shí)的柵極電荷(Qg�:30nC @ 10V 不同 Vds �(shí)的輸入電容(Ciss�:610pF @ 25V 功率 - 最大�:100W 工作溫度:150°C(TJ� 安裝�(lèi)�:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封�:TO-220AB �(biāo)�(zhǔn)包裝:50 IRGP4760D-EPBF IRGP4760DPBF IRGP4760-EPBF IRGP4760PBF IRGP4790D-EPBF IRGP4790DPBF IRGP4790-EPBF IRGP4790PBF IRGP50B60PD1-EP IRGP50B60PD1PBF IRGP50B60PDPBF IRGP6630D-EPBF IRGP6630DPBF IRGP6640D-EPBF IRGP6640DPBF IRGP6650D-EPBF IRGP6650DPBF IRGP6660D-EPBF
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免責(zé)聲明�以上所展示的IRGP4650D-EPBF信息由會(huì)員自行提供,IRGP4650D-EPBF�(nèi)容的真實(shí)性、準(zhǔn)確性和合法性由�(fā)布會(huì)員負(fù)�(zé)。買(mǎi)�(mài)IC�(wǎng)不承�(dān)任何�(zé)任�

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