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30HU1+

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30HU1+ 技術參數

30HFUR-600 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 30A DO203AB 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:30A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.45V @ 30A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:80ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:35μA @ 600V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:底座，接線柱安裝封裝/外殼:DO-203AB，DO-5，接線柱供應商器件封裝:DO-203AB 工作溫度 - 結:-40°C ~ 125°C 標準包裝:100 30HFUR-400 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 30A DO203AB 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 電流 - 平均整流（Io）:30A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.45V @ 30A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:80ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:35μA @ 400V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:底座，接線柱安裝封裝/外殼:DO-203AB，DO-5，接線柱供應商器件封裝:DO-203AB 工作溫度 - 結:-40°C ~ 125°C 標準包裝:100 30HFUR-100 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 30A DO203AB 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）:30A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.45V @ 30A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:80ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:35μA @ 100V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:底座，接線柱安裝封裝/外殼:DO-203AB，DO-5，接線柱供應商器件封裝:DO-203AB 工作溫度 - 結:-40°C ~ 125°C 標準包裝:100 30HFU-600 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 30A DO203AB 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:30A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.45V @ 30A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:80ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:35μA @ 600V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:底座，接線柱安裝封裝/外殼:DO-203AB，DO-5，接線柱供應商器件封裝:DO-203AB 工作溫度 - 結:-40°C ~ 125°C 標準包裝:100 30HFU-400 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 30A DO203AB 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 電流 - 平均整流（Io）:30A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.45V @ 30A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:80ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:35μA @ 400V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:底座，接線柱安裝封裝/外殼:DO-203AB，DO-5，接線柱供應商器件封裝:DO-203AB 工作溫度 - 結:-40°C ~ 125°C 標準包裝:100 30HV13B103KN 30HV13B103MN 30HV13B562KN 30HV13B682KN 30HV13N221KN 30HV14B103KC 30HV14B103KN 30HV14B103PN 30HV14B123KN 30HV16B273KN 30HV21B102KCM 30HV21B222MNM 30HV21B332MN 30HV21N271JCM 30HV22B102K 30HV22B222KC 30HV23B103KC 30HV26N822KCM