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CLH03(TE16LQ)

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CLH03(TE16LQ) PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

CLH03(TE16LQ) 技術參數

CLH03(TE16L,Q) 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 3A L-FLAT 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:停產二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 電流 - 平均整流（Io）:3A（DC）速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:35ns 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:L-FLAT? 供應商器件封裝:L-FLAT?（4x5.5）工作溫度 - 結:- 標準包裝:1 CLH02(TE16R,Q) 功能描述:DIODE GEN PURP 300V 3A L-FLAT 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:停產二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:300V 電流 - 平均整流（Io）:3A（DC）不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.3V @ 3A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:35ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 300V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:L-FLAT? 供應商器件封裝:L-FLAT?（4x5.5）工作溫度 - 結:-40°C ~ 150°C 標準包裝:1 CLH02(TE16L,Q) 功能描述:DIODE GEN PURP 300V 3A L-FLAT 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:停產二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:300V 電流 - 平均整流（Io）:3A（DC）不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.3V @ 3A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:35ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 300V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:L-FLAT? 供應商器件封裝:L-FLAT?（4x5.5）工作溫度 - 結:-40°C ~ 150°C 標準包裝:1 CLH01(TE16R,Q) 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 3A L-FLAT 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:停產二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:3A（DC）不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:0.98V @ 3A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:35ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 200V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:L-FLAT? 供應商器件封裝:L-FLAT?（4x5.5）工作溫度 - 結:-40°C ~ 150°C 標準包裝:1 CLH01(TE16L,Q) 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 3A L-FLAT 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:停產二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:3A（DC）不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:0.98V @ 3A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:35ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 200V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:L-FLAT? 供應商器件封裝:L-FLAT?（4x5.5）工作溫度 - 結:-40°C ~ 150°C 標準包裝:1 CLH0904-3-50TR-R CLH-106-F-D-BE CLH-112-F-D-PE CLH-41-20030 CLH-41-30010 CLH5 CLI/P-RM10/I CLI/P-RM10/ILP CLI/P-RM12/I CLI/P-RM14/I CLI/P-RM8/I CLI/P-RM8/ILP CLI-E25/13/7 CLI-EP10 CLI-EP13 CLINK3V28BT-85 CLINK3V48BT-112 CLINK3V48BT-133