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CPH3426-TL-E

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CPH3426-TL-E
深圳市英科美電子有限公司
深圳市英科美電子有限公司
聯系人：張先生
電話：0755-23903058
地址：深圳市福田區振興路西101號華勻大廈1棟7F
9200
SANYO/ON
CPH3
22+
-
每一片都來自原廠，正品保證

CPH3426-TL-E
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
SANYO
SOT23
最新批號
-
一級代理.原裝特價現貨！

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CPH3426-TL-E PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

CPH3426-TL-E 技術參數

CPH3362-TL-W 功能描述:MOSFET P-CH 100V 0.7A CPH3 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅動漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:700mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.7 歐姆 @ 700mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.6V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:3.7nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:142pF @ 20V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:3-CPH 標準包裝:3,000 CPH3360-TL-W 功能描述:MOSFET P-CH 30V 1.6A CPH3 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅動漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:1.6A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:303 毫歐 @ 800mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.6V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:2.2nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:82pF @ 10V 功率 - 最大值:900mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:3-CPH 標準包裝:1 CPH3360-TL-H 功能描述:MOSFET P-CH 30V 1.6A CPH3 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:Not For New Designs FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅動漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:1.6A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:303 毫歐 @ 800mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:2.2nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:82pF @ 10V 功率 - 最大值:900mW 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:3-CPH 標準包裝:3,000 CPH3356-TL-W 功能描述:MOSFET P-CH 20V 2.5A CPH3 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，1.8V 驅動漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:2.5A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:137 毫歐 @ 1A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:3.3nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:250pF @ 10V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:3-CPH 標準包裝:3,000 CPH3356-TL-H 功能描述:MOSFET P-CH 20V 2.5A CPH3 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:Not For New Designs FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，1.8V 驅動漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:2.5A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:137 毫歐 @ 1A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:3.3nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:250pF @ 10V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:3-CPH 標準包裝:3,000 CPH3457-TL-H CPH3457-TL-W CPH3459-TL-W CPH3461-TL-H CPH3461-TL-W CPH3462-TL-W CPH38W23FGE3SK9X CPH38W23MARARK9X CPH3910-TL-E CPH47W23FGE3SK9X CPH47W23FGE3SN9X CPH47W23MARASK9X CPH47W23MARCSK9X CPH5504-TL-E CPH5505-TL-E CPH5506-TL-E CPH5512-TL-E CPH5517-TL-E