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CSD17304Q3.

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制造商
Texas Instruments
功能描述
MOSFET N CHANNEL 30V 56 A SON
制造商
Texas Instruments
功能描述
MOSFET, N CHANNEL, 30V, 56 A, SON
制造商
Texas Instruments
功能描述
MOSFET, N CHANNEL, 30V, 56 A, SON, Transistor Polarity
制造商
Texas Instruments
功能描述
MOSFET, N CHANNEL, 30V, 56 A, SON, Transistor Polarity

CSD17304Q3. 技術(shù)參數(shù)

CSD17304Q3 功能描述:MOSFET N-CH 30V 56A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:15A（Ta），56A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:7.5 毫歐 @ 17A，8V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.8V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:6.6nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:955pF @ 15V 功率 - 最大值:2.7W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-VSON（3.3x3.3）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD17303Q5 功能描述:MOSFET N-CH 30V 100A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:32A（Ta），100A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2.4 毫歐 @ 25A，8V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.6V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:23nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:3420pF @ 15V 功率 - 最大值:3.2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-VSON（5x6）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD17302Q5A 功能描述:MOSFET N-CH 30V 87A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:16A（Ta），87A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:7.9 毫歐 @ 14A，8V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.7V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:7nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:950pF @ 15V 功率 - 最大值:3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-VSON（5x6）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD17301Q5A 功能描述:MOSFET N-CH 30V 28A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:28A（Ta），100A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2.6 毫歐 @ 25A，8V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.55V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:25nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:3480pF @ 15V 功率 - 最大值:3.2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-VSON（5x6）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD16570Q5BT 功能描述:MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:100A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:0.59 毫歐 @ 50A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.9V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:250nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:14000pF @ 12V 功率 - 最大值:3.2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-VSON（5x6）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD17313Q2 CSD17313Q2Q1 CSD17313Q2Q1T CSD17313Q2T CSD17318Q2 CSD17318Q2T CSD17322Q5A CSD17327Q5A CSD17381F4 CSD17381F4T CSD17382F4 CSD17382F4T CSD17483F4 CSD17483F4T CSD17484F4 CSD17484F4T CSD17501Q5A CSD17505Q5A